This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F28388D:如何减少 F28377D 和 F2838x 上存储器之间的空洞

Guru**** 2609285 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1041925/tms320f28388d-how-to-reduce-holes-between-memory-on-f28377d-and-f2838x

器件型号:TMS320F28388D

您好!


我想知道、在使用 F28377D 和 F2838x 的同时、是否有任何方法可以高效地使用存储器。


例如、有时会声明新的 Int16类型变量。
编译工程后、所用内存会"由于内存段之间的空穴而增加到远远超过16位"。

这 会导致内存空间不足、无法在这些芯片上添加更多功能。

我知道我们可以以正确的方式重新排列声明变量。 但目前我们没有计划这样做。 因为变量太多、这会花费太多时间、并可能导致其他不可预测的问题。

开发人员是否可以遵循任何其他方法或用户指南来改善内存漏洞问题?

谢谢  

Amy

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Amy、

    您的查询已分配给专家。 您很快就会收到回复、

    此致、

    Veena

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请在 C28x 编译器手册中搜索 标题 为数据页(DP)指针负载优化的子章节。

    谢谢、此致、

    乔治