[参考译文] TMS320F280049：F28004x 固件更新示例

Anju，我将在今天结束前查看并回答这个问题。 谢谢、Sira

Anju、

我刚刚在 DigitalPower SDK v3.02.00.00安装中尝试过此操作、并且 BANK0_FLASH 和 BANK1_FLASH 构建配置构建过程中没有任何问题。

这个错误并没有告诉我太多信息。 您可以尝试清理工作区、重新导入工程并进行编译吗？

首先尝试构建 BANK1_FLASH 配置。

谢谢、

Sira

你(们)好，Sira。  

我能够以 SCI 引导模式加载内核文件。 以及运行 appln.exe 时

serial_flash_programr_appln.exe -d f28004x -k f28004x_fw_upgrade_example\flashapi_ex2_sci_kernel-CPU1-RAM.txt -a f28004x_fw_upgrade_example\buck_F28004x_lduBANK1FLASH.txt -b 9600 -p COM12

在闪存引导模式下、它不能按预期工作。  

之后、它没有显示任何内容。 自动波特锁不工作。  

请推荐我可以遵循的任何更改。 或者、我能否为同一命令的实时 DFU 运行 serial_flash_programr.exe 本身？

谢谢、此致

Anju

Anju、

是否将内核加载到 Bank0、然后使用它将应用程序编程到 Bank1？

谢谢、

Sira

您好，Sira，

是的。。。 我首先加载了 BANK0内核。 然后关闭电源并更改为闪存引导模式并打开电源。 此时加载 BANK1应用文件时、会显示这些错误。  

谢谢

Anju

Anju、

您使用的代码来自 DigitalPower SDK v3.02.00.00 TIDM-02011、对吧？

我假设您在 TIDUEY4的3.4.1的第5步中遇到问题、对吧？

是的、在此步骤中、您必须使用 serial_flash_programr_appln.exe、而不是 serial_flash_programmer.exe、因为内核已经在闪存中。

我建议以下几点：

1.按照文档中所述重复步骤-以防遗漏任何内容。

2.如果问题仍然存在、请连接到 CCS 并检查闪存地址8000-82000、查看它们中是否有有效内容、而不仅仅是 FFFF。

3.也可以尝试使用 CCS，即使用 TIDUEY4的3.4.2。

谢谢、

Sira

您好，Sira，

感谢您的回答

我遵循相同的步骤、SDK 代码和文档。 在刷写应用程序之前、我已经擦除了所有数据、通过遵循  TIDUEY4的3.4.1本身、这些步骤开始工作。  不知道到底是什么问题.. 但现在能够闪存这两个内存组。

 谢谢、此致

Anju

您好，Sira，

自动波特率之后。 TI 器件存在校验和错误。 它在发送22个字节的初始化数据后持续位于 while 环路内。 未收到校验和。

我已经从我们的代码和 Visual Studio 代码命令提示符中尝试过它。 两个卡在同一位置。  

尝试再次刷写内核文件。 在 DFU 命令 SEND 之后，发送文件时，在发送过程之间也会出现卡滞。 我附加的图像是它卡住的位置

此 MCU 有问题吗？ 所有命令都无法完成。 如 DFU、复位、擦除。

才能完成所有这些任务。。。

谢谢、此致

Anju

您好，Sira，

我不断面临两个问题中的任何一个

1) 1)自动波特之后。 TI 器件存在校验和错误。 它在发送22个字节的初始化数据后持续位于 while 环路内。 未收到校验和。

我已经从我们的代码和 Visual Studio 代码命令提示符中尝试过它。 两个卡在同一位置。  

尝试再次刷写内核文件。 在 DFU 命令 SEND 之后，发送文件时，在发送过程之间也会出现卡滞。 我附加的图像是它卡住的位置

此 MCU 有问题吗？ 所有命令都无法完成。 如 DFU、复位、擦除。

才能完成所有这些任务。。。

此外，

2)我使用了另一个板，对于这种情况，我可以从命令提示符处刷写 bank0的内核，然后刷写 bank1的应用程序映像，再刷写 bank1的内核，但始终卡在刷写 bank0的应用程序映像上。  

 这两个问题是我在闪存两个存储体时遇到的。  

谢谢、此致

Anju

Anju、

您使用的是什么硬件？

谢谢、

Sira

您好，Sira，

我使用的是 F280049C LaunchPad 开发套件。 尝试使用 TIDUEY4 3.4.2中的步骤。 我能够从 CCS 闪存两个组。  

谢谢  

Anju

您好，Sira，

在 TIDUEY4中的这种方法中、我们必须加载2种不同类型的文件、也可以针对 bank0和 bank1加载。 在这两个应用文件中、唯一的区别是构建配置。 我们只能使用一种类型的配置，而不是这种方法？ 也就是说、即使我们使用组0和组1进行闪存、我们也可以在相同的配置中编译代码、并且在加载代码时、它将自动选择备用组。 我提出这一问题是因为、如果我们在下一次写入相同的闪存组代码、该过程将受到影响。  

还有一件事... 我们能否仅从闪存部分之一更新固件？

谢谢、此致

Anju

Anju、

您说3.4.2适合您、3.4.1不适合您吗？ 您是否能够运行完整的 LFU 演示、即实时更新固件？

谢谢、

Sira

Anju、

您需要2个单独的闪存内核/编译配置、因为从 Bank0运行的内核将仅更新 Bank1上的应用、而在 Bank1上运行的内核将更新 Bank0上的应用。 Bank0无法更新 Bank0 -这将违反闪存操作-您无法从正在执行(读取)的同一闪存组擦除/编程。

谢谢、

Sira

Sira、  

现在它正在工作。 我觉得问题是连接方面的问题、 很抱歉给您带来不便。 感谢您对每个查询的指导。

在更新过程中、需要更新更多器件。 因此、跟踪每个器件中的固件并不容易。  

此致

Anju  

Sira、

这正是我的意思。 我期待您的未来帮助。  

谢谢  

Anju

您好，Sira，

感谢您的支持

很抱歉耽误你的时间。

我可以使用 SCIB 进行此固件更新吗？  引脚56和57。 如果是、我应该进行哪些更改？ 。 如果我将 BUCK_LFU_setupSCIAPort()；将 BUCK 示例中的 SCIB 更改为这些引脚，或者还需要进行任何其他更改？

谢谢  

Anju

Anju、

由于您将使用闪存引导模式、我认为应该可以使用 SCIB 在应用程序中进行流式传输。

此外、您还需要更改使用 SCIA 的 SCI 闪存内核。 具体而言、flashapi_ex2_sci_get_function.c (需要将 SCIA_BASE 替换为 SCIB_BASE)和 sciPinmuxOption ()中的许多更改都对应于 SCIA、并在 flashapi_ex2_bootrom.h 中定义 这些内容需要更新。 还有许多其他变化，我在这里也没有分析过。

谢谢、

Sira

您好，Sira，

感谢你的答复。 但是  、根据表4.4 (第591页)中的 www.ti.com/.../sprui33d.pdf、提到只能使用 SCIA。 我尝试将内核代码和 BUCK 示例代码更改为 SCIB、并为 bank0刷写内核、并尝试将 LDFU 从我们的代码更改为 SCIB 自动波特不起作用。  

谢谢  

Anju

Anju、

您显示的是外设引导模式。 在这种情况下、您不会通过 SCIB 引导。 您正在使用闪存引导、并通过 SCIB 在映像中进行流式传输、我认为这是合法的。 您可能没有更改过的位置。 您必须仔细查看代码、了解是否缺少任何内容。

谢谢、

Sira