• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 9 回复
  • 订户 1 订户
  • 视图 177 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F28069：闪存免读错误

admin
Guru**** 2558250 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28069, TMS320F280049

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/981372/tms320f28069-flash-memory-read-disturb-error

器件型号：TMS320F28069
主题中讨论的其他器件： TMS320F280049

各位专家、您好！

我们的客户针对 TMS320F28069和 TMS320F280049器件提出了以下问题。

1.如果每个器件的上电/断电序列发生、它们是否有可能发生 Flash ROM 读操作中断错误？

如果这些器件有、请告知数字限制。

2.我发现 F280049的闪存数据保存期限为20年、F28069的保存期限为15年。

在每个持续时间内、它永远不会发生任何位故障、这是正确的吗？

此致、
A. Fujinaka

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    以下是您的问题答案：

    1.我假设您要求任何影响闪存读取操作的加电或断电序列要求？ 客户关心哪种类型的读干扰场景？ 通常、闪存读取操作期间的欠压事件不会改变闪存数据的完整性。

    2.是的、但请按照数据表中的说明考虑结温。 F280049上20年 Tj=85C、F28069上15年 Tj=55C。

    此致、

    Nirav  

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nirav、您好！

    我收到了客户的反馈。

    1.客户展示了一种情况、即使每天发生650次通电/断电周期、也不会发生读干扰、15年的 R/W 功能正常吗？

    2.感谢您的回答。

    此致、A. Fujinaka

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Fujinaka，

    根据设计、您可以对器件进行循环通电的次数没有限制。 R/W 函数应该可以正常工作、但这种情况尚未得到验证。

    此致、

    Nirav

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nirav、您好！

    我的客户认识到这种读干扰问题是所有闪存的一般问题、他们想知道 TI 为什么认为没有限制？

    此致 、A. Fujinaka

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Fujinaka，

    闪存读取干扰的最坏情况主要是由于写入/擦除 周期的数量、此数量可导致应力引起的泄漏电流、也被称为读取干扰故障。  

    除了电源周期之外、客户还计划执行相同数量的写入/擦除操作吗？ 我们确实有针对 W/E 周期数的数据表限制。  

    我可以与内部专家进行仔细检查、看看是否有任何与功率循环相关的可能导致闪存读取干扰的限制。  

    此致、

    Nirav

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，Fujinaka，

    我在内部与专家进行了检查、正如我提到过的、没有与下电上电相关的"免读操作"问题。 假设客户未超过写入/擦除周期的数据表限制、并且每个电源周期内的闪存写入/擦除操作也不会过早终止、这意味着没有欠压事件条件。 请参阅 数据手册中与欠压条件相关的注释。

    此致、

    Nirav

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nirav、您好！  

    我们的客户阅读以下页面、
    en.wikipedia.org/.../Flash_memory
    他们认识到、即使 TI 没有解释任何问题、也需要一些方法来避免这个问题、那么、您能告诉我们使用了什么方法来避免这个问题吗？

    此致、A. Fujinaka

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [引用 userid="48107" URL"~/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/981372/tms320f28069-flash-memory-read-disturb-error/3660836 #3660836"]他们认识到，即使 TI 没有解释任何问题，仍需要一些方法来避免此问题，因此，您能否告诉您使用了什么方法来避免此问题？

    有关 读取干扰的 Wikipedia 链接适用于 NAND 闪存。

    虽然我找不到明确的文档、 但由于 TMS320F28069和 TMS320F280049器件允许就地执行(XIP)、因此器件大概使用 NOR 闪存。

  • 0
    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Akihiko、

    我感谢客户关注确保他们正确使用了器件。

    这些器件上的闪存集成在器件本身中、而不是外部存储器中、不受适用于通用现成闪存 IC 的注意事项的约束。

    我们通常不会共享设备的物理实现细节、而是共享 DS 中使用设备所需的细节。

    客户应继续假设、只要他们在器件 DS 中指定的容差范围内运行器件、就会在其系统/使用中按预期运行。

    切斯特、

    您对闪存的 XIP 性质非常敏锐的观察。

    最棒的
    Matthew