主题中讨论的其他器件:BOOSTXL-K350QVG-S1、 TMS320F280049C
你(们)好
我尝试将 GRLIB 移植到 tms320F280049c MCU,以便将其与 BOOSTXL-K350QVG-S1 QVGA Display BoosterPack配合使用
编译工程我遇到了以下问题:字体和图像是在.econst 段中编译的、摘要获得的字节超过1000个
创建字体等其他数据段仅适用于一种字体、不适用于项目中的两种或多种字体。 (大小再次大于100)
如何创建包含两个或多个闪存扇区的段?
/*闪存扇区*/
/*组0 */
FLASH_BANK0_SEC0:origin = 0x080002、length = 0x000FFE //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC1:origin = 0x081000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_sec2:origin = 0x082000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC3:origin = 0x083000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC4:origin = 0x084000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC5:origin = 0x085000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC6:origin = 0x086000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC7:origin = 0x087000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC8:origin = 0x088000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC9:origin = 0x089000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC10:origin = 0x08A000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC11:origin = 0x08B000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC12:origin = 0x08C000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC13:origin = 0x08D000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC14:origin = 0x08E000、length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC15:origin = 0x08F000、length = 0x001000 //片上闪存*
如何正确地将 (例如) FLASH_BANK0_SEC5、 FLASH_BANK0_SEC6和 FLASH_BANK0_SEC7合并到说明部分中:
.cio:>RAMLS0,page = 0
econst:> FLASH_BANK0_SEC5 | FLASH_BANK0_SEC6| FLASH_BANK0_SEC7、PAGE = 0、ALIGN (4)
grfonts:> flash_BANK0_SEC8 | flash_BANK0_SEC9,page = 0,align (4)
#endif
如上所述合并会产生错误
/28004x_GRLIB_FLASH_lnk.cmd"、第99行:错误#10099-D:程序将无法放入可用内存中。 对于"grfonts"大小为0x10fe 页0的段、定位/分块放置失败。 可用存储器范围:
FLASH_BANK0_SEC8大小:0x1000未使用:0x1000最大孔:0x1000
FLASH_BANK0_SEC9大小:0x1000未使用:0x1000最大孔:0x1000
"./28004x_GRLIB_FLASH_lnk.cmd"、第98行:错误#10099-D:程序将不能放入可用内存中。 在".econst"大小为0x5295 PAGE 0的段中、放置对齐/分块失败。 可用存储器范围:
FLASH_BANK0_SEC5大小:0x1000未使用:0x1000最大孔:0x1000
FLASH_BANK0_SEC6大小:0x1000未使用:0x1000最大孔:0x1000
FLASH_BANK0_SEC7大小:0x1000未使用:0x1000最大孔:0x1000