[参考译文] TMS320F28379D-Q1：编程 Tms320f28379d 控制器定制板时出错、使用了 f28379Launchpad 的原理图..Blackhawk XDS560系统跟踪仿真器

您好！

什么是引导模式？ 看起来是从闪存引导？ 您可能需要尝试等待引导模式。

实际上、对于引导模式、我在 launchpad..in 中遵循类似的 DIP 开关、连接到目标本身会引发错误。。。只有 JTAG 测试通过了。。。在尝试加载.out file...itshows 时、在 error.it 之后、CCS 处于 emu 引导模式、就像在 launchpad 中一样。 "="" after="" launching="" debug="" mode"="" src="https://e2e.ti.com/resized-image/__size/640x480/__key/communityserver-discussions-components-files/171/3857.Screenshot-_2800_117_2900_.png">

您好！

错误看起来是这样的、它将访问闪存。 最好将电路板置于等待引导模式、然后尝试加载。

我尝试通过更改 launchpad 中的 DIP 开关010来等待引导引导。这次 JTAG 测试本身 failed..ca您告诉我还有什么可以做的。我尝试了..nothing 的所有8种组合。。。。如果 trst 为高电平、则只有 JTAG 测试正常工作或出现 JTAG 错误。  如何获取 TI 的本地支持...

查看您的第一个帖子/图像、CCS 会发出警告、指出检测到的器件与所选器件不匹配。  从"基本"配置中的第二个映像中；在 XDS560的仿真器选择下方有一个空间可供选择器件。  您需要从此列表中选择 TMS320F28379D 器件并进行保存。

闪存 API 会执行一些粗略检查、以确保器件 ID 与您在 CCS 中选择的器件 ID 相匹配。  这是为了确保在使用闪存之前使用正确的时序和地址范围。  由于未选择器件、我相信 CCS 将阻止您对器件进行编程以避免损坏。

最棒的

Matthew

我已配置.ccxml 文件相同的结果、启动调试模式也会产生相同的结果我附加下面的结果。 我再次用这个最小 JTAG 配置中的4个不同的电路板对硬件进行了双重检查、结果相同、消耗70-80mA 电流。 我们怎么可能出错？

Black Hawk 或您的定制 PCB 消耗70-80mA 的电流？ MCU 是焊球还是 TQFP 封装、您是否尝试过引脚对引脚环短路测试？

另一件需要注意的事情是、一旦您连接到器件、打开闪存工具(Tools->On-Chip Flash Tools)。  确保时钟设置正确(这些设置可能会灰显并使用内部振荡器、这是正常的)。

从这里、让我们"擦除"闪存、看看是否会弹出相同的错误。

如果这是 GI 所说的情况、我们似乎在闪存编程/擦除操作期间正在使器件处于饥饿状态。  您可以检查 VDD3VFL 电源引脚、以确保其处于3.14V - 3.47V 的 DS 限值范围内或在闪存操作期间出现压降。

我假设 CCS 仅在我们尝试闪存编程/擦除时抛出此错误、但如果错误、请纠正此错误。

最棒的

Matthew

MCU 定制板的电流消耗为70-80mA、我测试了每个引脚对引脚的短路情况、未发现短路。 封装为 tms320f28379ptps 176引脚封装。

我按照下面的屏幕截图连接了我的器件、这是可以的。在擦除闪存时、您告诉我执行相同的错误会弹出...闪存 sting 是默认的。我想知道为什么当我尝试刷写 tms320f28379d 时、片上的 tms320c28xx 会打开...或者正常...闪存上的3.3V 是稳定的... banck 检查也会产生相同的错误。

在尝试加载程序时会产生错误。。。我可以赞扬调试配置并连接到目标、这就是我可以做的所有事情。。。如果我尝试加载.out 或生成闪存错误。

也许 MUC 卡在 xRSN 复位中或 MOSC/PLL 运行频率不正确？ Matthew 对 MCU 高电流需求有何建议？

Gi、

闪存工具应该强制使用内部振荡器、虽然 PLL 可以被改变(应该为19)；所以我认为我们至少可以确定使用 CCS 工具。   

Keerthi、

您提到您的定制 PCB 是使用 LAUNCHXL-F28379D 作为参考而制作的。  电源上的 LDO 和抽头是否与 LaunchPad 相同？   

是否可以共享您的原理图？  如果您想私下这样做、您可以"连接"到我、并且可以通过私人聊天功能关闭论坛。

另外、让我们打开一个0x78000 (链接指针)的存储器窗口、并确保该窗口被擦除。  所有器件都应在出厂时擦除、但我想确保所有器件的状态。

最棒的
Matthew

是的、大多数组件是相同和相似的、但我们已将 LDO 更改为3.3V、并且一些小的修改是在器件之间完成的。我"连接"您。我将在论坛上分享原理图。

Keerthi、

我刚刚接受了朋友的请求。  将在私人聊天区域中查找附件。

最棒的

Matthew

有时焊锡膏会产生小球、会卡在引脚之间。 大多数 DMM <300Ω Ω 时出现振铃问题、不会检测到高阻抗短路、但会检测到 Ω Ω 的电平。 我过去吃过这种简短的东西。

我过去遇到过这个问题...但是我已经用高压泵和 IPA 清除了、我使用了 RMA、没有清洁膏、但我仍然会再次查看

我从未使用过高压空气、但听起来也可以正常工作。 通常在针脚之间轻轻地使用最薄的缝纫针拖、检查放大率为5至10倍。 然后、再次使用磁通量关闭进行清洁、以去除任何白色/透明残留物、并在引脚之间更好地观察。 相反的情况是、可能会发生较差的引脚湿性到焊盘触点。

通常在引脚区域使用带通量浴的薄楔形烙铁、以获得均匀的回流、在多个引脚上、290-300°C 1-2秒、等待通量烟雾和听到一声爆音、这两个良好的指示器都将弹出。 通常会发现在两个或更多焊盘之间看不见的引脚后面熔化微小的焊锡膏球、即使是通过 x10放大、也很难看到它们。 请让论坛知道您的发现    

不是高压空气、它是高压 IPA。我将根据您的建议再次回流、并让您了解详情

从未听说过 HP-IPA、但知道 VDD/VDDA 引脚何时无法很好地设置到 HASL 焊盘、JTAG 经常会发生一些奇怪的情况。 在了解焊锡膏对0PB-HASL 的反应后、我制作的下一个电路板将具有金接触 TQFP 布局  

我使用了高电平压力泵喷洒器来清洁 PCB、它运行良好、我在8X 放大倍数下进行了检查。我正在关注此主题、我无法在连接到目标(https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/729543/faq-product-change-notice-pcn-20180523001-1-for-tms320f2837x-and-tms320f2807x-devices?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=faq%252525252525253Atrue)后重置调试器。帮助我解决问题

99%的 DNA 不是那么便宜，有些 IPA 可能有?％的水，请检查标签。 坚持使用磁通关闭为 PCB 制作的修改后的 MEK、IPA 似乎不是。

我严重怀疑80mA 电流消耗是由闪存类型造成的。 不清楚上述注释您是否使用两线2WD 或 JTAG 引脚？ 为 JTAG 配置了一些 XML 调试仿真、两轮驱动将失败。

根据最终原理图、我在2个不同的电路板中使用了两种类型的3.3V 电源。我使用的是 lm63625。 它消耗20mA 电流。 另一个来源是 ams1117、它消耗大约60-80mA 的电流、这两个电流都是通过12v 工作台电源提供的。我的意思是 IPA 工作良好、不会出现助焊剂或焊球的视觉残留物。我只使用 JTAG。 在上面的链接中、他们给出了闪存 f28379D 4美元版本的特定过程、这是我使用 now..in 时无法按照指示进行操作的原因、这就是我提出问题的原因

Keerthi、

下面是每个电源上预期电流的屏幕截图(此处是 DS 的链接)。  最后一行是器件在闪存编程期间需要的内容。  让我们检查一下您必须确保它们能够满足此需求的 LDO。

我想尝试一些不同的方法、让我们使用 C2000Ware 中的一些代码示例、但要确保将编译配置设置为 RAM。  我想看看器件是否稳定运行其中一些示例、而不使用闪存。  这将帮助我们找出可能出现错误的根本原因、无论是绝对电流消耗还是闪存问题。

Gi、

为了保持连续性(通过论坛外对话) 、他还使用了 XDS100v2并获得相同的结果。  我认为此时 JTAG 是可以的。

最棒的

Matthew

几个注释(7)和空白工厂闪存53-65mA 似乎有点模糊。 发布的 DS 链接不起作用 。 RAM 项目加载是个好主意     

不得不想象大多数+3V3 LDO 可以提供300mA 电流、AMS 是开关降压稳压器吗？ 如果+3V3降压稳压器可能需要在输出端堆叠陶瓷电容器以阻止 CBC 电流限制周期？  

链路已修复、感谢大家的观看。

Keerthi、
想要再次查看您是否有任何在 C2000Ware 中运行仅 RAM 示例的进度？

最棒的

Matthew

我一定要这么做、然后回到您的最后一步

我运行了 C2000 RAM blinky 示例...结果如下

其 LDO 可编程1A、根据数据表、我们堆叠了10uF/1uF/100nF 去耦电容器

也许调试探针错误已经尝试第一次擦除闪存？ 您似乎可以为 RAM 加载测试禁用擦除程序(闪存)。 这就是为什么要禁用程序加载时擦除闪存复选框的原因。

Keerthi、

很抱歉我在这里没有答复。  RAM 执行正常运行是一个很好的结果；我认为这更倾向于指向器件引脚上的 VDDIO/VDD3VFL 电源的某些问题(不一定是 LDO 本身的问题)。

我重新浏览了您离线发送的原理图；在功率衰减方面、一些东西看起来与 LAUNCHXL-F28379D 相匹配、这是一个很好的参考。  您能否评论(或在论坛上分享) PCB 的布局、甚至是屏幕的图片、以便我可以看到与 C2000器件的相对位置？  

我会寻找与 LAUNCHXL-F28379D 相似的放置位置、相对靠近器件。

最好验证电容值本身、以确保我们获得原理图中所需的电容值。  我在实验室遇到了一些问题、在实验室中、我从库存中获取了下一个十年更高/更低的无源器件、这可能会导致问题(我也遇到了电路板制造商以相同的方式加载错误卷带的问题)。

基于目前为止的一切、ESP 与 CCS 一起在您尝试对闪存执行任何操作时终止 JTAG 连接、我仍然认为这必须是 IO 轨上的瞬时电流下降(由 VDD3VFL 引脚/电源引起)。

最棒的

Matthew

最后一个屏幕截图无法缩放、但红色文本显示错误无法连接到目标。 柱塞测试是否真正成功？