请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TMS320F28388D 您好！
在 TMS320F28388D 数据表的5.8.4闪存参数部分中，有以下表格：
第一行指出、对于128个数据位+ 16个 ECC 位的编程、典型时间为40µs μ s、但最多需要300µs μ s。 由于(1)注释说明程序时间不会随着写入/擦除循环而降低、我假设它会随着温度的升高而降低。 所以我做了这个测试：
- 在环境温度(20°C)下定期写入7个128个数据位的块、然后在90°C 时定期写入7个128个数据位的块、我通过在写入第一个块之前升高 GPIO 并在写入第七个块之后降低 GPIO 来测量写入时间。
我测量的结果是、在环境温度下写入的值仅比在90°C 下写入的值少6µs μ s 因此、它确实会随着温度而降低、但不会太高。
因此、如果不在温度范围内、也不在擦除/写入循环中、那么闪存上的编程时间会有何降低？
此致、
昆廷
