[参考译文] TMS320F2812：F2812上的 XINTF 至28379D 上的 EMIF

电 cc、

您是否可以观察两次背对背访问的时间？  C28x 是可寻址的16位字、因此每个存取将生成两个8b 运算。

EMIF 应用手册中简要介绍了此行为。

Tommy

嗨、Tommy、

是的、我认为这就是发生的情况。 那么、我如何才能继续只写入一个8b 操作呢？

例如、 我想向地址0x3FFE 写入8位数据、并向地址0x3FFF 读取数据(8位)？

此致

您好！

如果我已经了解了应用手册、例如、如果我想发送数据"0xA0"、那么第一个写入是"0xA0"、第二个写入是"0x00"？
如何才能继续仅发送一个字"0xA0"？

因为如果外部存储器查看的数据是第二次写入、则不正确(0x00而不是0xFE)

此致、

您好！

TMS320F2812也属于 C28x 系列？ 那么、F2812和 F28379D 之间的行为是相同的？

您好！

感谢您的回答。
它仍然不起作用。

我已经检查了我的硬件、没关系。 我的外部存储器是 DPRAM、而不是 SRAM。 这是问题的原因吗？
同一软件适用于 F2812。 2812是否可以与 DPRAM 配合使用、而不是与28379D 配合使用？

要测试的软件非常简单，我发送一个存储器上特定地址的数据，这个必须将相同的值(在不同地址上)返回给 MCU (在存储器数据表下面)：

它们以乒乓协议发送、即应用程序向模块发送电报、包括至少控制信息、并在发送下一个电报之前等待电报返回。返回电报始终包含至少状态信息。

此致

电 cc、

只要符合标准 SRAM 接口、底层存储器实现就不重要。

您是否已根据配置电子表格工具检查 EMIF 设置？  这将有助于大致检查寄存器。

如果仍然存在问题、我们需要知道哪些特定信号出现错误行为(以及以何种方式)、以帮助您进一步调试。  这最终将要求对观察到的 EMIF 信号活动与 F28379D 和存储器数据表进行系统比较。

Tommy

嗨、Tommy、

我使用的外部存储器实际上是 Profibus 模块(由 Anybus 提供)、它具有 DPRAM (我的基于2812的旧软件与此模块一起使用)。

以下是 MCU 与 DPRAM 之间通信的快速说明：

初始化步骤之后(请参阅数据表  hms-hmsi-168-106.pdf  第10页的步骤1“连接模块”至步骤3“初始握手”)，有一个步骤称为“发送和接收电报”； 在这一步中、当我向特定寄存器(地址0x3FFE (数据表第16-17页)上的 DPRAM 发送消息(0xA0)时、这个将向另一个寄存 器( 地址0x3FFF (数据表第16-17页)上的 MCU 返回消息(0xA0)

这是为了确保 MCU 和 DPRAM 之间的通信 正常工作。

我的软件仅执行以下步骤：初始化步骤和通信测试。 我在    我的代码中放入一个 asm (“ESTOP0”)；在 RAM 中写入之后：

• 对于 F2812、0x3FFE 地址(控制寄存器)(我使用的 XINTF 区域0)上的数据为0xA0；0x3FFF 地址(状态寄存器)上的数据为0xA0 (来自 DPRAM 的应答)
  
  
• 对于 F28379D、0x303FFE 地址 (控制寄存器)(我用的是 CS3异步)上的数据为0xA0；0x303FFF 地址(状态寄存器)上的数据为0x00 (DPRAM 无应答)

在我的 EMIF 设置下面：

extern void emif1Initialize (void)；

//---------------
///\fn void Init_EMIF (void)
//
////\简要 控制 EMIF 寄存器。
///\param 无。
///\返回无。

void Init_EMIF (void)
｛
//------ 宣言----

emif1Initialize()；
//
//配置为在半速率上运行 EMIF1 (EMIF1CLK = CPU1SYSCLK /2)
//
EALLOW；
ClkCfgRegs.PERCLKDIVSEL.bit.EMIF1CLKDIV = 0x1；
EDIS；

EALLOW；
//
//为 CPU1抓取 EMIF1
//
EMIF1ConfigRegs.EMIF1MSEL.ALL = 0x93A5CE71；

//
//禁用访问保护(CPU_Fetch、CPU_WR/DMA_WR)
//
EMIF1ConfigRegs.EMIF1ACCPRT0.ALL = 0x0；

//
//提交与保护相关的配置。 直到该位保持置位
//无法更改 EMIF1ACCPROT0寄存器的内容。
//
EMIF1ConfigRegs.EMIF1COMMIT.ALL = 0x1；

//
//锁定配置，使 EMIF1COMMIT 寄存器不能
//再更改。
//
EMIF1ConfigRegs.EMIF1LOCK.ALL = 0x1；

//
//配置 CS3空间的访问时序
//

Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.ASIZE = 0； //异步设备总线宽度。 ASIZE = 0选择一个8位总线
Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.TA = 3； //一个异步内存访问结束到另一个异步内存访问开始之间的 EMxCLK 周期数减一个周期
Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.R_HOLD = 7； //读取保持宽度。
emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.R_STROBE = 18；//读取选通持续时间周期
Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.R_SETUP = 7； //读取选通设置周期
Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.W_HOLD = 7； //写入保持宽度。
Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.W_STROBE = 18；//写选通持续时间周期
Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.W_SETUP = 7； //写选通设置周期
emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.EW=0； //扩展等待模式启用。 EW=0禁用扩展等待模式
emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.SS = 0； //选择选通模式。 SS = 0选择正常模式

emif1Regs.Rcsr.bit.be = 0； // EMIF 端模式= 0：小端模式
emif1Regs.Rcsr.bit.FR = 0； // EMIF 运行速率= 1：全速率

EDIS；
｝ 

我可以与您分享在同一时间观察到的 EMIF 信号活动(在 RAM 中写入后立即)。

我还与您分享带有 CS3 configuration.e2e.ti.com/.../C2000_2D00_EMIF_5F00_ConfigurationTool.xlsx 的配置电子表格工具

此致、

e2e.ti.com/.../hms_2D00_hmsi_2D00_168_2D00_106.pdf

电 cc、

是的、请调查信号活动、以确保它们与您的预期相符。

此外、请继续注意、C28x 是可寻址的16位字。  C28x 16b 0x303FFF 地址不会映射到与外部8b 0x3FFF 偏移量相同的位置。

Tommy

嗨、Tommy、

那么、它可以解释这个问题吗？ 如果我写入地址0X303FFE、它与外部存储器中的地址0x3FFE 不匹配？
但为什么它适用于 F2812？

此致

电 cc、

您是否能够调查 EMIF 信号活动？  在您能够确定 F28379D 系统故障的根本原因之前、我不希望推测系统中的差异。

Tommy

嗨、Tommy、

我认为我的笔记本电脑上的 EMIF 曲线在写入操作期间被获取、但我不确定是因为/we 信号始终处于高电平状态(可能是在首次读取外部存储器时)。

周二之前我无法访问示波器、但如果我在首次写入期间获得 EMIF 信号、该信号如何帮助我？
我必须分析哪些信号？

此致

被叫方、

我同意 C28x 是可寻址的16位字。 但是、您为什么说外部存储器是8b-(字节)可寻址的？

那么、我必须将我的所有地址除以2？
C28x 上的一个地址对应于外部存储器中的2个地址？ (例如：C28x 上的地址0x0030 0000对应于外部存储器中的地址0x0000和0x0001？)

按照您所说的内容、例如、如果我要写入控制寄存器(存储器中的地址0x3FFE)、我必须写入 C28x 上的地址0x0030 1FFF？

例如、如果它的工作方式与此类似、如何仅访问地址0x0030 1FFF 上的状态寄存器(存储器中的地址0x3FFF)、而不访问控制寄存器(存储器中的地址0x3FFE)？

此致

[引用 user="electrocc">我同意 C28x 是可按16位字寻址的。 但是、您为什么说外部存储器是8b-(字节)可寻址的？

根据我的理解，外部设备具有8b 数据总线...因此可寻址8b。

[引用 user="electrocc">ISO 我必须将我的所有地址除以2？
C28x 上的一个地址对应于外部存储器中的2个地址？ (例如：C28x 上的地址0x0030 0000对应于外部存储器中的地址0x0000和0x0001？)

按照您所说的内容、例如、如果我要写入控制寄存器(存储器中的地址0x3FFE)、我必须写入 C28x 上的地址0x0030 1FFF？

是的、每个16b 存取将产生两个8b 操作。

观察 EMIF 信号的目的是确认从 C28x 访问到外部器件的地址总线转换。 我不愿意将这一理论视为您问题的根本原因而不作确认。 您当然可以尝试使用不同的地址、以查看它们是否符合预期。

[引用 user="electrocc"]如果其工作方式与此类似，例如，如何仅访问地址0x0030 1FFF 上的状态寄存器(存储器中的地址0x3FFF)，而不访问控制寄存器(存储器中的地址0x3FFE)？

您可能可以通过将 EMIF 配置为在16b 模式下运行并仅使用每个 C28x 字的8个最低有效位来实现此目的。

嗨、Tommy、

我想将8个数据写入外部存储器，因此请按如下所示获取数据：

(1)

－外部内存偏移量0x3B00：数据= 0x01
－ 外部内存偏移量0x3B01：数据= 0x01
－ 外部内存偏移量0x3B02：数据= 0x01
－ 外部内存偏移量0x3B03：数据= 0x00
外部 存储器偏移量0x3B04：数据= 0x41
－ 外部内存偏移量0x3B05：数据= 0x00
外部 存储器偏移量0x3B06：数据= 0x01
－ 外部内存偏移量0x3B07：数据= 0x00

按照您所说的内容、每个16b 存取产生两个8b 操作。

我使用此(部分)代码：

#define ABCC_parally_base_address 0x300000
#define iDpramOffset 0x1D80

UINT16 IBytes = 8；
uint8* pabDpram；

pabDpram =(uint8*)(ABCC_parally_base_address + iDpramOffset)；

for (iBytes = 0；iBytes < iLength；iBytes++)
｛
*pabDpram++=(*pbSource++)；
} 

我遇到了我所期望的问题：  

外部存储器将看到：

-外部存储器偏移量0x3B00 (C28x 上的地址0x301D80)：数据= 0x01
-外部存储器偏移 量0x3B01 (C28x 上的地址0x301D80)：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B02 (C28x 上的地址0x301D81) ：数据= 0x01
- 外部存储器偏移 量0x3B03 (C28x 上的地址0x301D81) ：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B04 (C28x 上的地址0x301D82) ：数据= 0x01
- 外部存储器偏移 量0x3B05 (C28x 上的地址0x301D82) ：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B06 (C28x 上的地址0x301D83) ：数据= 0x00
- 外部存储器偏移 量0x3B07 (C28x 上的地址0x301D83) ：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B08 (C28x 上的地址0x301D84) ：数据= 0x41
- 外部存储器偏移 量0x3B09 (C28x 上的地址0x301D84) ：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B0A (C28x 上的地址0x301D85) ：数据= 0x00
- 外部存储器偏移 量0x3B0B (C28x 上的地址0x301D85) ：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B0C (C28x 上的地址0x301D86) ：数据= 0x01
- 外部存储器偏移 量0x3B0D (C28x 上的地址0x301D86) ：数据= 0x00

- 外部存储器偏移量0x3B0E (C28x 上的地址0x301D87) ：数据= 0x00
- 外部存储器偏移 量0x3B0F (C28x 上的地址0x301D87) ：数据= 0x00

如何获得与以上(1)相同的结果？

我需要使用字节内在函数？

为什么 F2812和 F28379D 之间存在差异？ 这两个器件都属于 C28x？！

此致

Tommy、

我已经更改了软件和接线以在16b 模式下运行。

Emif1Regs.ASYNC_CS3_CR.bit.ASIZE = 1； //异步设备总线宽度。 ASIZE = 1选择一个16位总线 

我  有点困惑。

您之前告诉过我：

C28x 16b 0x303FFF 地址不会映射到与外部8b 0x3FFF 偏移量相同的位置。

是的、每个16b 存取将产生两个8b 操作。

但现在，我处于16位模式；所以通常：

• 如果我在0x303FFE 地址上发送数据、它将映射到0x3FFE 偏移？
• 接收到的数据将是正确的，因为只使用了较低的8b (连接到我的内存 D0->D7)？

我 观察了 EMIF 信号、一切似乎都正常。

此致

嗨、Tommy、

现在一切都正常。

非常感谢您的支持和解释。

此致、