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[参考译文] TMS320F28379D:有关 HRPWM 限制的问题

Guru**** 2042920 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/874367/tms320f28379d-questions-about-hrpwm-limitations

器件型号:TMS320F28379D

我已经实现了用于高分辨率占空比和死区控制的代码。 我对 HRPWM 相关文档中描述的限制有一些疑问。

占空比限制(技术手册中的第15.14.1.5.3章)是在使用 HRPWM 时、最小占空比应为3个周期。 对于较小的值、应禁用 HRPWM。 手册中的引用:
'当高分辨率周期控制被禁用时、尽管在前三个周期中 HRPWM 特性不可用、常规 PWM 占空比控制仍可在低至0%的占空比下完全运行。'

我的问题是、在这种情况下、将高分辨率寄存器设置为0 (CMPAHR 和 CMPBHR)足以禁用 HRPWM 功能吗? 或者、我是否必须在完全禁用 HRPWM 特性的情况下重新初始化模块?

2.我的另一个问题与 HR 死区功能的相同限制有关。 在 HR 死区文档(15.14.1.6)中、有一条注释说明:
"与使用 HRPWM 时的占空比限制一样、要使用高分辨率死区、DBRED 和 DBFED 值必须大于3。"

但是、在第15.14.1.5.3章中、要点如下:
"当使用 DBREDHR 或 DBFEDHR 时、DBRED 和/或 DBFED (与具有高分辨率位移的边沿相对应的寄存器)必须大于或等于7。"

那么、它是3还是7、还是我了解了错误的东西?

我自己也做了一些测试、HR 死区调整似乎适用于所有 DBRED/DBFED 值。 我可以在 HR 步骤中将死区值从0纳秒向上调整、而不会出现任何问题。 我确信有充分的理由限制3个周期、但实际上、我未能发现 HR 死区运行在3个周期以下的任何问题。 您能否详细说明在3个周期以下运行时、HR 死区会有什么未定义的行为?

谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果您将占空比的 HR 部分设置为零、您将非常接近于禁用 HR、但我相信仍然存在2-MEP 阶跃延迟。

    如果 HR 模块在系统中是不可容忍的、您可以禁用它。

    2.如果不遵守最小值规则,可能会出现故障。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回答。

    1. 2 MEP 阶跃延迟不是问题。 我有兴趣避免可能在3个周期以下发生的未定义行为。 将 HR 部分设置为零是否会执行此操作? 我可以使用接近占空比限值的粗步长。

    2.好的。 HR 死区3或7个周期的上述粗调时钟限制? 此外、与问题1一样、我有兴趣通过将 HR 部分设置为零来避免低于限值的未定义行为。

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    1、只要粗步进超出3个周期范围。

    2、数值是7。

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    感谢您的澄清。 最小值为7、这是一种遗憾。 它相当于35ns 的低分辨率死区时间、对于现代 GaN 和 SiC 器件而言、死区时间可能较高。