主题中讨论的其他器件:LMG3410-HB-EVM、
尊敬的团队:
我们正在尝试降低 GaN 子卡的成本、通过将 LMG3410-HB-EVM 上的隔离式电源更改为自举电源、使我们的解决方案更具竞争力。
启动时、每个低侧 LMG3410 应由具有低占空比的 PWM 驱动、以便为高侧 LMG3410的自举电容器充电并避免电感器电流饱和。 在 相应的故障信号设置为高电平之前、高侧 LMG3410无法正确切换。
那么、有关我们应该如何为 自举供电的 GaN 子卡修改 TIDM-1007固件的任何线索?
谢谢、此致、
赵志
