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器件型号：TIDM-SOLARUINV 您好！
我正在检查 TIDM-SOLARUINV 的此参考设计、并尝试对设计进行仿真以更改规格。
在此设计中、我将考虑两个因素。 第一个示例是使用 MOSFET、变压器、钳位电容器 TI 参考设计中的所有内容、我使用图腾柱而不是使用栅极驱动器 IC、因为它的仿真模型不可用。
第二点是反激式转换器中 MOSFET 的仿真开环控制
我还为 MOSFET 实施了热分析模型、以了解结温。
但我正在检查、我的效率接近60%、并且结温高于结温50°C。
对于这两个问题、我如何改进设计、以便实现95%至99%的效率并降低结温？
请就提高系统效率向我提供建议。
此致
Pulkit Prajapati
