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器件型号：TMS320F280049C 您好！
我尝试使用闪存 API 并尝试对闪存进行编程、但它始终返回失败。 如果我尝试在闪存中写入0到1、则会根据手册设置 INVDAT。 在我写入闪存之前、我已经擦除了闪存(也使用函数进行了检查)、一切都正常、使用内存浏览器完全为0xFFFF)、但它没有帮助。 我出了什么问题？
下面是我如何尝试执行它的一些代码：
uint32_t 地址 ToErase = 0x8F000；
uint16_t DATA[4]；
data[0]= 0x10；
data[1]= 0x11；
data[2]= 0x12；
DATA[3]= 0x13；
Fapi_StatusType flashStatus = Fapi_issueCommandAddress (Fapi_EraseSector、(UINT32_t *) addressToErase)；
while (Fapi_checkFsmForReady ()！= Fapi_Status_FsmReady)；
if (flashStatus！= 0)
｛
//处理错误
}
否则
{
if (fapi_getFsmStatus()！= 0U)
｛
//处理错误
}
其他
｛
//检查是否为空
Fapi_FlashStatusWordType flashStatusWord；
flashStatus = fapi_doBlankCheck (((uint32_t *) address ToErase、0x1000、flashStatusWord)；
if (flashStatus！= fapi_Status_Success)
｛
//处理错误
}
其他
｛
flashStatus = fapi_issueProgrammingCommand (&addressToErase、&data[0]、4、NULL、0U、 Fapi_AutoEccGeneration)；
//等待闪存程序操作完成
while (fapi_checkFsmForReady()！= fapi_Status_FsmReady)；
if (flashStatus！= fapi_Status_Success)
｛
将始终出现在这里、因为 INVDAT 为1
//处理错误
}
...}
}
