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[参考译文] 使用 DSC TMS320C28346刷写到 AT25512-TH-T 时出现问题

Guru**** 633105 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320C28346
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1166927/issue-flashing-to-at25512-th-t-using-dsc-tms320c28346

器件型号:TMS320C28346

我使用 DSC TMS320c28346使用 Code Composer Studio 5.5开发特定于应用的代码。 该工程有一个(.h)头文件、我在该文件中声明并初始化了所有变量和函数。代码完成后、我使用 SPI 串行 EEPROM AT2552-TH-T 进行了闪存 我按照文档中有关如何刷写代码的说明进行操作。我成功刷写了代码。。。。后来我不得不执行一些其他函数。 为此、我 继续初始化并再次声明一些其他变量和函数。我不使用我已声明近200-300个变量和相关函数的相同(.h)文件、 我刚创建了另一个(.h)文件、并在那里声明了我的所有新变量和函数。我现在需要在代码中使用它们。 但是、在主程序中使用它之前、我尝试闪存代码...但这次我遇到了"超出算法执行超时"等问题。  算法执行失败。 块地址0x00007c00失败。 编程闪存失败。   警告:闪存中安全密码位置的内容可能不处于预期状态。 如需进一步调试、请查看最新编程算法版本(2004年7月及以后版本)中包含的自述文件、该版本特定于您的器件"。 我尝试了几种可能的解决  方案、例如增加分配给 store (.ebss)、(.stack)和(.text)的存储器区域的大小。 我成功地将所有新变量和函数复制到旧头文件中。。。。但仍然存在错误。。此问题的可能原因是什么以及如何在 sdflash 工具中处理此问题?。
谢谢、此致
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    Deepak、

    我认为有关密码的错误和此类错误在这里不适用、这是因为我们的器件支持嵌入式闪存。  可能当 SDFlash 遇到编程错误时、这是一些基于典型原因的默认消息。

    由于我们使用的是 EEPROM、因此我想知道、如果我们尝试对已经有数据的位置进行"重新编程"、即使数据匹配、它是否反应不佳。

    是否可以仅为您添加的新内容创建单独的编程文件、然后重试此操作?  是否可以将 EEPROM 替换为新的 EEPROM 并尝试一次刷写整个映像?

    最棒的

    Matthew

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    我尝试在新的 EEPROM 中刷写相同的代码、但仍然存在相同的错误...如果我删除该新(.h)文件、 .out 会被刷写。  代码中的变量和函数声明如何阻碍闪存过程?

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    Deepak、

    您能否附加编译工程时生成的.map 文件。  工作中还是非工作中?  这应该位于.debug 目录中(如果看不到它、您可能需要在项目设置中启用它的创建)。

    最棒的
    Matthew