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器件型号：TMS320F28375S 我们正在尝试使用 微控制器中内置的 ECC 和奇偶校验保护机制来评估由于软错误而检测位状态变化的能力。 在本例中、SPRACC0的第3.4.1节介绍了我所指的软错误类型。
SPRACC0的第2节和第3.4.1节的组合描述了 SRAM 的物理布局以及一个字中的任何两个位之间的接近程度。 为了评估单个带电粒子对多个附近位的易感性、SRAM 阵列中的行数和此存储器中使用的处理节点是多少？ 我无法在任何文献中找到此信息、因此了解需要哪些额外的软件保护来检测变化将非常有帮助。
