你(们)好
我的客户使用28377+ FPGA (spartan6)来扩展2个 RAM (512K)和闪存(128K)、请与您再次核实硬件设计和软件更改。
CPU1RAM 由74LV32启用
F28377
FPGA
使用 CS2扩展 RAM1 RAM2、CS4用于扩展由 FPGA 控制的闪存、读取和写入
如下所示更改示例代码
emif1_16bit_asram.c
将 IO 设置为用作扩展端口2
GPIO92用于 XA19、其它代码无变化。
CCS7.4 MEMORY 观察
写入一个32位数据、只有高16位被写入、当执行下一条语句时、地址值将被立即清零。
写入地址0x100002时、地址行 A0-A4为1000；如何配置 XA19？ 是否需要设置？
3、emif1ConfigRegs.EMIF1MSEL.all = 0x93A5CE71；写入后、读出数据为01？
非常感谢。
Daniel、您好！
地址行的连接不正确。 请参阅以下部分(图25-9)。 EMIF 到8位/16位存储器接口)。
对于16位接口、需要将外部 RAM 的 A0连接到 EMIF 的 Ba1、并且需要相应地调整其他地址线、如图所示。
此致、
Vivek Singh
您好、被叫方、
问题1：
在 TI 参考设计中、它使用 EM1OE (GPIO37) 作为读取信号。
客户使用 EM1RNW（GPIO33）作为 C2000和 FPGA 的读取信号。 如下图所示。
当 FPGA 正在读取时 EM1RNW 为高电平、当不读取时 EM1RNW 为低电平。
我们想知道哪个 GPIO 用于连接 RAM 闪存 读取信号？
问题2.
如下所示更改硬件连接。
XA19被用作 EM1BA1的第一个地址线。 GPIO 引脚定义为3。 我们可以使用 XA19作为第20个地址还是第21个地址行吗？
由于使用了两个 RAM、一个是512K。 当 FPGA 扩展时、它需要使用此地址线(0x180000-0x1FFFF 用于映射第二个 RAM 存储器)。
0x180000、第20个地址行是 XA19还是 XA18？ 非常感谢。
[引用用户="Daniel Fang]问题1：
在 TI 参考设计中、它使用 EM1OE (GPIO37) 作为读取信号。
客户使用 EM1RNW（GPIO33）作为 C2000和 FPGA 的读取信号。
当 FPGA 正在读取时 EM1RNW 为高电平、当不读取时 EM1RNW 为低电平。
我们想知道哪个 GPIO 用于连接 RAM 闪存 读取信号？
这两个信号具有 TRM 中定义的不同行为：
OE 充当选通信号、而 RNW 在存储器访问期间是静态的。 要使用的信号取决于外部组件的需求。 标准异步存储器通常使用 OE 而不是 RNW。
[引用用户="Daniel Fang]问题2.
XA19被用作 EM1BA1的第一个地址线。 GPIO 引脚定义为3。 我们可以使用 XA19作为第20个地址还是第21个地址行吗？
PINMUX 机制只允许引脚运行为 EM1A19或 EM1BA1。 可通过 GPIO 控制实现对更高地址信号(寻呼)的手动控制。
您好、被叫方、
根据您的建议更改硬件后。 如下图所示、将所有 GPIO 端口设置为 外设功能2。
写入地址时、A19不起作用。 地址只 增加+2、唯一改变的是 A0高/低电平。
当把数据写入 RAM 时、 当增加地址时、只有0X100000数据被改变。
