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您好！
TI 是否有任何最小电流消耗数据？
在初始闪存编程期间(通过引导加载程序 SCI 通信输入)、我看到电源电流有很大变化。 我们的一些应用将电流注入 MCU 引脚的 ESD 反向二极管、限制为几毫安。 在这种情况下、由于电源电压上升到超过复位监控器阈值(超过~3.6V)、某些电路板无法使用固件进行初始编程。
在闪存编程期间(当 MCU 控制掌握在引导加载程序/ OTP 闪存编程库的手中时)、TI 是否具有任何最小电流峰值？
阿勒桑德鲁
我们没有为器件指定最小电流。
一般而言、我们建议不要定期向 ESD 二极管注入电流。 这可能会干扰器件 VDDIO 电源、并可能意外改变器件的功能。 因此、我的第一项建议是尽可能消除电流注入。 如果无法消除注入、则将其限制为尽可能低的电流。
在减小注入电流时、您似乎正在寻找要目标的电流负载。 由于我们没有指定最小负载(并且根据器件活动、它可能相对较小)、 然后、我建议在 PCB 或测试线束中的 VDDIO 上放置一个与您的总注入电流相匹配或超过您的总注入电流的直流电阻负载、以确保此电源不会上升到超过稳压3.3V 电平。 这将防止主管在您的情况下跳闸。
此致、
Jason
我将详细介绍以下内容：
在某些应用中、我们使用片上 ESD/钳位 二极管实现从5V 到3.3V 的降压转换、该二极管存在于处理器 (MCU)引脚和处理器3.3V 电源之间的片上。 我们在外部5V 信号和 MCU 引脚之间添加了一个串联电阻器。 当信号为5V 时、MCU 内部的二极管将导通、并将 MCU 引脚电压限制为~ 3.3V + 0.5V ~= 3.8V。 我们确保该电阻器足够大、能够将每个引脚的电流限制在 I_IK 以下、并限制在总钳位电流 I_IKTOTAL 以下(来自器件数据表、表5.1)。
但在这种情况下、流经 ESD 二极管的钳位电流到达3.3V 电源。 我们在这些应用中使用的是 LDO、即电源无法灌入电流。
如果通过 ESD 二极管注入的电流大于3.3V 电源轨上的总电流消耗、则3.3V 电压将上升。 这种上升由片上 OVR (过压复位)电路进行拦截、该电路将 RESET 置为有效。
在新器件上进行初始固件编程期间、当我们在 SCI (串行/RS232)模式下使用引导加载程序上载固件时、有时会遇到这种情况：闪存写入/擦除过程有时会因复位而中断。 这种情况会无情地循环。
为了避免这种情况、我们应用了权变措施、在3.3V 和 f GND 之间添加镇流电阻器、以始终具有一定的电流消耗。 但是、我想尽量减少此变通办法引入的额外功耗、因此我需要处理器的最小电流消耗。
我知道另一种权变措施是在3.3V 和 f GND 之间添加并联稳压器、但这在现有/启动的电路板上是不可行的。
感谢您提供的更多详细信息、我可以理解这种情况。
我通常建议避免连续注入电流。 表5-1是绝对最大额定值。 与运行模式更相关的表是5-3建议运行条件；在此表中、我们建议将 VIH 保持在 VDDIO+0.3V 以下。 保持低于该电平将确保 VDDIO 电源不会受到电流注入的干扰。 与使用串联电阻器和内部 ESD 二极管相比、此输入端的电平转换缓冲器或电阻分压器可能是更好的解决方案。
但是、如果您不能更换现有电路板、则镇流器电阻器可能是唯一的选择。 3.3V VDDIO 电源本身具有非常低的静态电流(微安)。 VDDIO 电源电流实际上仅取决于输入和输出的 IO 活动本身。 由于这将取决于您的应用、因此我们无法指定最小值。 您可以配置未使用的输出缓冲器、以便在5V 输入出现时将高电阻负载驱动；这样、您可以将镇流器电流损失降至仅限过压事件持续时间。 不过、这在加载代码之前的启动情况下可能不起作用。 您还可以使用由5V 信号启用的串联 FET 直接在电路板上激活镇流器电阻、但这是对电路板的修改。
很抱歉、我没有更好的想法可供您使用。
