我的客户正在尝试了解 ASRAM 和 SDRAM 之间的权衡。 下面是一个问题列表:
性能/配置(根据 C2000外部存储器接口 sprac96a.pdf 的设计和使用指南以及使用 C/C++ spraby4.pdf 访问 TMS320F2837x/2807x 微控制器上的外部 SDRAM)
A.基准-
我与我们的软件团队进行了讨论、似乎除了绘制块传输图外、我们的 RAM 访问可能还存在一些随机存取
注:我从访问外部 SDRAM 文档中了解到存在一些性能处罚、但最好更好地理解这些处罚。
1.您能抽出时间访问 ASRAM 与 SDRAM 之间的单个16位字吗? 我们可以假设使用与 TRM 示例相同的芯片。
2.是否有1-512次传输的图形?
b.‘是否有用于吞吐量指标的“干净”参考设计? (请注意、参考设计由于60引脚连接器而存在许多注意事项/限制)
c.您对 SDRAM 数据表相关的时序是否有很好的理解?
i.使用5nS EMIF 时钟时、我们可以在= 10ns/transfer 下以最快的速度运行它吗?
d.使用32位宽的总线是否会降低性能(字操作->对16位变量执行读/修改/写操作)
e.从机器代码的角度来看、存储器访问是否与任何其他存储器访问类似、但仅当正确的存储器位置配置为读取时、会注入等待状态?
2.布局规则- TI 是否有关于这些接口的 HS 布局的建议?
a.是否建议串联端接?
b.存储器引脚是否具有转换率/驱动强度设置?
C.在这些速度下、长度匹配的建议是什么?
d.受控阻抗? 50欧姆单端?
测试和评估
A. SDRAM 应力测试是否可行? 接口能否支持更高的速度?
b. TI 建议如何评估 SDRAM 接口的可靠性和稳健性?
i. SI 测试?
二 如何检查各种环境条件?
c.您能否推荐一个评估套件、让我们了解与此技术集成相关的一些详细信息?
谢谢!
www.digikey.com/.../5214129
www.ti.com/.../sprac96a.pdf
www.ti.com/.../spraby4.pdf