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[参考译文] TMS320F28375D:SRAM 与 SDRAM -性能和折衷

Guru**** 2446940 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/854800/tms320f28375d-sram-vs-sdram---performance-and-tradeoffs

器件型号:TMS320F28375D

我的客户正在尝试了解 ASRAM 和 SDRAM 之间的权衡。 下面是一个问题列表:

性能/配置(根据 C2000Tm外部存储器接口 sprac96a.pdf 的设计和使用指南以及使用 C/C++ spraby4.pdf 访问 TMS320F2837x/2807x 微控制器上的外部 SDRAM)

A.基准-
我与我们的软件团队进行了讨论、似乎除了绘制块传输图外、我们的 RAM 访问可能还存在一些随机存取
注:我从访问外部 SDRAM 文档中了解到存在一些性能处罚、但最好更好地理解这些处罚。

1.您能抽出时间访问 ASRAM 与 SDRAM 之间的单个16位字吗? 我们可以假设使用与 TRM 示例相同的芯片。
2.是否有1-512次传输的图形?
b.‘是否有用于吞吐量指标的“干净”参考设计? (请注意、参考设计由于60引脚连接器而存在许多注意事项/限制)
c.您对 SDRAM 数据表相关的时序是否有很好的理解?
i.使用5nS EMIF 时钟时、我们可以在= 10ns/transfer 下以最快的速度运行它吗?
d.使用32位宽的总线是否会降低性能(字操作->对16位变量执行读/修改/写操作)
e.从机器代码的角度来看、存储器访问是否与任何其他存储器访问类似、但仅当正确的存储器位置配置为读取时、会注入等待状态?
2.布局规则- TI 是否有关于这些接口的 HS 布局的建议?
a.是否建议串联端接?
b.存储器引脚是否具有转换率/驱动强度设置?
C.在这些速度下、长度匹配的建议是什么?
d.受控阻抗? 50欧姆单端?
测试和评估
A. SDRAM 应力测试是否可行? 接口能否支持更高的速度?
b. TI 建议如何评估 SDRAM 接口的可靠性和稳健性?
i. SI 测试?
二 如何检查各种环境条件?
c.您能否推荐一个评估套件、让我们了解与此技术集成相关的一些详细信息?

谢谢!

www.digikey.com/.../5214129
www.ti.com/.../sprac96a.pdf
www.ti.com/.../spraby4.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用用户="Lenio Cacula]I. 我与我们的软件团队进行了讨论、似乎除了绘制块传输图外、我们的 RAM 访问可能还存在一些随机变化
    注意:我从访问外部 SDRAM 文档中了解到存在一些性能处罚、但最好更好地理解这些处罚。[/QUERPLET]

    您能否在需要澄清的文档中指出绩效罚金的具体参考?  我不介意详细阐述、但我不确定哪个方面令人担忧。

    [引用用户="Lenio Cacula]1. 您能抽出时间了解什么是 ASRAM 与 SDRAM 的单个16位字访问吗? 我们可以假设使用与 TRM 示例相同的芯片。 [/报价]

    单个字的总线活动时间直接取自 EMIF 配置寄存器。  EMIF 是一个控制器、在这个控制器中、所有的活动都是相对于 EMIF 外设时钟生成的。  唯一的额外延迟是应用手册中描述的3周期同步延迟。

    [引用用户="Lenio Cacula]2. 是否有1-512次传输的图形?

    不可以、对于较小的传输尺寸、测量误差会成比例地增大、因此根据 EMIF 设置手动计算位速率更有意义。

    [引用用户="Lenio Cacula"]b. ‘是否有用于吞吐量指标的“干净”参考设计? (请注意、由于60引脚连接器、参考设计有许多注意事项/限制)[/QUERQ]

    是的、该参考设计有一些注意事项、但它以全速运行、并展示了系统通常实现的功能之外的其他功能。  该参考设计是用于收集吞吐量基准的平台。

    [引用用户="Lenio Cacula]c. 您对 SDRAM 数据表相关时序是否有很好的理解?[/QUERP]

    EMIF 配置工具可能很有用。

    [引用用户="Lenio Cacula]I. 使用5nS EMIF 时钟时、我们能够以= 10ns/transfer 的速度运行它吗? [/报价]

    EMIF 通常是当今制造的 SDRAM 的速度限制因素。  换言之、现代 SDRAM 支持比 EMIF 更快的操作。

    [引用 user="Lenio Cacula"]d. 使用32位宽的总线是否会影响性能(字操作->对16位变量执行读/修改/写操作)[/quot]

    EMIF 可以执行单字节访问。  对于独立的16b 操作、不存在固有的周期惩罚。  32B 操作显然是最有效地利用系统资源。

    [引用用户="Lenio Cacula]e. 存储器访问是否与从机器代码角度进行的任何其他存储器访问类似、但仅当正确的存储器位置配置为从读取时注入等待状态?

    正确、它的行为与任何其他存储器映射空间类似、但 SDRAM 空间中的 Far 访问除外。

    [引用用户="Lenio Cacula]2. 布局规则- TI 是否有关于这些接口的 HS 布局的建议?[/引述]

    行业最佳实践通常足以满足这些速度要求。

    [引用用户="Lenio Cacula]a. 是否建议串联端接?[/quot]

    可以使用串联端接、但不是必需的。  该参考设计不包含端接。

    [引用用户="Lenio Cacula"]b. 存储器引脚是否具有转换率/驱动强度设置?[/QUERT]

    没有可配置的设置。

    [引用用户="Lenio Cacula]c. 在这些速度下、长度匹配的建议是什么?[/quot]

    长度匹配是一个好主意。  确定匹配目标的正确方法是比较 EMIF 和外部存储器之间的 PCB 信号偏差与设置和保持时序要求。  我想当内存被放置在靠近 EMIF 的位置时、他们会发现时序预算非常宽松。

    [引用 user="Lenio Cacula"]d. 受控阻抗? 50欧姆单端?[/报价]

    与长度匹配一样、这是一个好主意、但不是必需的。  与长度匹配一样、可通过最佳放置来最大限度地降低阻抗控制的重要性。

    [引用用户="Lenio Cacula]a. SDRAM 应力测试是否可行? 接口能否支持更高的速度?[/报价]

    这由客户决定。  可以合理地假设所有设计都具有性能裕度、但 TI 只能支持数据表条件。

    [引用用户="Lenio Cacula"]b. TI 建议如何评估 SDRAM 接口的可靠性和稳健性?
    i. SI 测试?
    二 如何检查各种环境条件?[/引述]

    我们在这里没有任何具体建议。  我认为它类似于验证通信接口。  可以实现有详尽文档记录的存储器测试模式(如 March)。

    [引用用户="Lenio Cacula]c. 您能否推荐一个评估套件、让我们了解与此技术集成相关的一些详细信息?

    此参考设计是一个与 LaunchPad 和 controlCARD 配合使用的良好评估平台。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    关于以下要点的一个附加说明-

    [引述]

    Lenio Cacula
    i.使用5nS EMIF 时钟时、我们可以在= 10ns/transfer 下以最快的速度运行它吗?

    EMIF 通常是当今制造的 SDRAM 的速度限制因素。  换言之、现代 SDRAM 支持比 EMIF 更快的操作。 [/报价]

    对于 SDRAM、支持的最大 EMIF 频率为100MHz、10ns EMIF 时钟。 此外、在 SDRAM 中还有一些其他开销、例如 CAS 延迟、因此需要查看吞吐量数量。

    此致、

    Vivek Singh