工具/软件：Code Composer Studio
大家好、
在 PWM 递增-递减计数器模式中、 我在使 TBCTR = 0大约几个时钟后设置一个断点、通过观察寄存器窗口、我可以获得以下信息
TBSTS 中的位[2]、 CTRMAX = 1、 表示时基计数器达到最大值0xFFFF
2. 在 TBSTS 中的位[0]， CTRDIR = 0，这意味 着时基计数器当前正在递减计数
TBCTR ==65506
TBPRD ==30000
如果我在使 TBCTR = 0之前设置断点、然后逐步执行、TBCTR 似乎是一个正确的值、通过一步调试、它的值逐渐增加。μ s
我很困惑这是怎么发生的、是什么使 TBCTR 大于 TBPRD？
请提供任何帮助
提前感谢
感谢 Pramod P 的回复、
我检查过几次、但仍然没有发现任何问题。 因此，我简化了代码，它只有 epwm1模块和 delay_US()函数，此外，我阻止了全局中断。
我发现了一个明显的现象。 当 TBCTR 处于向上计数方向时、使 TBCTR = 0不会进入异常状态。 但是当 TBCTR 处于倒计数方向时、 使 TBCTR = 0将进入异常状态、即 TBCTR > TBPRD、我按照 以下屏幕截图设置断点，DELAY_US（600L）延迟、从而使 TBCRT 处于倒计数方向
第一张图片、TCTR 在执行时正处于递增计数的方向
第二张图片、执行时 TBCTR 处于倒计数方向
这种异常是否有其他原因？
void main (void)
｛
//仅在从闪存运行时使用
//请注意，变量 FLASH 由编译器使用-d FLASH 定义
ifdef 闪存
//将时间关键代码和闪存设置代码复制到 RAM
// RamfuncsLoadStart、RamfuncsLoadEnd 和 RamfuncsRunStart
//符号由链接器创建。 请参阅链接器文件。
memcpy (((uint16_t *)&RamfuncsRunStart、(uint16_t *)&RamfuncsLoadStart、
(无符号长整型) RamfuncsLoadSize)；
//调用闪存初始化以设置闪存等待状态
//此函数必须驻留在 RAM 中
InitFlash()；//调用闪存包装程序初始化函数
#endif //(闪存)
DEVICE_Init()；
//后台循环的定时同步
// PeripheralHeaderIncludes.h 中的定时器周期定义
// CpuTimer0Regs.PRD.All = mSec1；//任务
// CpuTimer1Regs.PRD.All = mSec5；// B 任务
// CpuTimer2Regs.PRD.All = mSec100；// C 任务
//
////任务状态机初始化
// Alpha_State_PTR =&A0；
// a_Task_ptr =&a1；
// B_Task_ptr =&b1；
// C_Task_ptr =&c1；
//
// VTimer0[0]= 0；
// VTimer1[0]= 0；
// VTimer2[0]= 0；
// LedBlinkCnt = 5；
DELAY_US (9000L)；
// Pwm1_Logic_Init()；
pwm1_3_Init()；
// EXT_Int1_Init()；
// pwm2_Init()；
// sadc_Init()；
EALLOW；
SysCtrlRegs.PCLKCR0.bit.TBCLKSYNC=1；//同时启用 ePWM 时钟
EDIS；
//EINT；//启用全局中断 INTM
//ERTM；
DELAY_US (10L)；
//delay_US (600L)；
//below 正在重新注册一些 PAN 检测寄存器
EPwm1Regs.TBCTR = 0x0000；//清除计数器
DELAY_US (10L)；
while (1)｛；｝
｝
------------------------------------------------------------------
void Pwm1_3_Init (void)
｛
/*********
//pwm1和 pwm3配置为相同的频率周期。
//除(EPwm1Regs.TBCTL.bit.PHSEN)不同
//pwm3使用其 tz 中断来记录 pwm1 CTR 寄存器以计算驱动器延迟、并记录 PAN 检测脉冲的计数
秘书长的报告 /
//----------------------------------
//pwm1.
//------------------------------------
wPWM1Freq = 1000；//初始频率
wPWM1Period =(uint16)(60000000 / wPWM1Freq)；
EPwm1Regs.TBCTL.bit.PRDLD = TB_Immediate；//TB_SHADOW；//设置 CTR=0上的负载
EPwm1Regs.TBPRD = wPWM1Period / 2；// PWM 频率= 1/周期
EPwm1Regs.TBPHS.Half.TBPHS = 0x0000；//相位为0
EPwm1Regs.TBCTR = 0x0000；//清除计数器
//设置 TBCLK
EPwm1Regs.TBCTL.bit.CTRMODE = TB_COUNT_UPDOWN；//顺计时
EPwm1Regs.TBCTL.bit.PHSEN = TB_DISABLE；//禁用相位加载
// EPwm1Regs.TBCTL.bit.PRDLD = TB_SHADOW；//设置 CTR=0上的负载
EPwm1Regs.TBCTL.bit.SYNCOSEL = TB_CTR_ZERO；//同步下流模块
EPwm1Regs.TBCTL.bit.HSPCLKDIV = 0；//时钟与 SYSCLKOUT 之比
EPwm1Regs.TBCTL.bit.CLKDIV = 0；//缓慢、以便我们可以在示波器上观察
//EPwm1Regs.TBCTL.bit.free_soft = 11；// XYN、仿真模式位1X 自由运行
//设置比较
EPwm1Regs.CMPA.half.CMPA = wPWM1Period / 4；
EPwm1Regs.CMPCTL.bit.SHDWAMODE = CC_SHADOW；
EPwm1Regs.CMPCTL.bit.LOADAMODE = CC_CTR_ZERO；// CTR 上的负载=零
////设置操作
// EPwm1Regs.AQCTLA.bit.ZRO = AQ_SET；//设置
// EPwm1Regs.AQCTLA.bit.PRD = AQ_CLEAR；//清除
//设置操作
EPwm1Regs.AQCTLA.bit.ZRO = AQ_CLEAR；
EPwm1Regs.AQCTLA.bit.PRD = AQ_SET；
//高电平有效互补 PWM -设置死区
EPwm1Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE = DB_FUL_ENABLE；
EPwm1Regs.DBCTL.bit.POLSEL = DB_ACTV_HIC；
EPwm1Regs.DBCTL.bit.IN_MODE = DBA_ALL；
EPwm1Regs.DBRED = DB_2_5us；
EPwm1Regs.DBFED = DB_2_5us；
//config pwm1 ISR
//ISR 用途：
//1. 关闭 pwm1输出、这会导致检测到脉冲
//2. 一段时间后，关闭 ISR，设置 PAN 检测结束标志 EOPD
EALLOW；
PieVectTable.EPWM1_INT =&EPWM1_INT_ISR；//映射 PWM 中断
PieCtrlRegs.PIEIER3.bit.INTx1 = 1；// PIE 电平启用、Grp3 / Int1、ePWM1
EDIS；
EPwm1Regs.ETSEL.bit.INTSEL = 0；//et_CTR_PRD；//计数器归零事件时的 INT
EPwm1Regs.ETSEL.bit.INTEN = 0；//禁用 INT
EPwm1Regs.ETPS.bit.INTPRD = et_1st；//在每个第一个事件上生成 INT
IER |= M_INT3；//启用连接到 EPWM1-6 INT 的 CPU INT3：
// EINT；//启用全局中断 INTM
// ERTM；//启用全局实时中断 DBGM
//----------------------------------
//COMP1 2.
//------------------------------------
//Comp1为上半电流限值
//Comp2作为下半电流限值
//如果输入电流没有过流，引脚 I/O 的输出应该为低电平
EALLOW；
//配置模拟比较器
Comp1Regs.COMPCTL.bit.SYNCSEL = 1；//与 SYSCLK 同步/使用限定条件
Comp1Regs.COMPCTL.bit.QUALSEL = 3；//需要输入针对3个连续 SYSCLK 保持稳定
Comp1Regs.COMPCTL.bit.CMPINV = 0；//输出为低电平
Comp1Regs.COMPCTL.bit.COMPSOURCE = 0；//使用内部 DAC
Comp1Regs.COMPCTL.bit.COMPDACEN = 1；//启用 DAC
Comp1Regs.DACVAL.bit.DACVAL = 821；//COMP1；//跳闸电流= DACVAL/1023*82.5
Comp2Regs.COMPCTL.bit.SYNCSEL = 1；//与 SYSCLK 同步/使用限定条件
Comp2Regs.COMPCTL.bit.QUALSEL = 3；//需要输入针对3个连续 SYSCLK 保持稳定
Comp2Regs.COMPCTL.bit.CMPINV = 1；//输出为低电平
Comp2Regs.COMPCTL.bit.COMPSOURCE = 0；//使用内部 DAC
Comp2Regs.COMPCTL.bit.COMPDACEN = 1；//启用 DAC
COMP2Regs.DACVAL.BIT.DACVAL = 202；//COMP2；//跳闸电流= DACVAL/1023*82.5
//根据 TZ1和 TZ2定义事件(DCAEVT1)
EPwm1Regs.DCTRIPSEL.bit.DCAHCOMPSEL = DC_COMP1OUT；// DCAH =比较器1输出
//EPwm1Regs.DCTRIPSEL.bit.DCALCOMPSEL = DC_TZ2；// DCAL = TZ2
EPwm1Regs.TZDCSEL.bit.DCAEVT1 = TZ_DCAH_HI；// DCAEVT1 = DCAH 低电平(当比较器输出变为低电平时将变为有效)
EPwm1Regs.DCACTL.bit.EVT1SRCSEL = DC_EVT1；// DCAEVT1 = DCAEVT1 (未滤波)
EPwm1Regs.DCACTL.bit.EVT1FRCSYNCSEL = DC_EVT_异 步；//采用异步路径
//根据 TZ1和 TZ2定义事件(DCBEVT1)
EPwm1Regs.DCTRIPSEL.bit.DCBHCOMPSEL = DC_COMP2OUT；// DCBH =比较器1输出
//EPwm1Regs.DCTRIPSEL.bit.DCBLCOMPSEL = DC_TZ2；// DCAL = TZ2
EPwm1Regs.TZDCSEL.bit.DCBEVT1 = TZ_DCBH_HI；// DCBEVT1 =(当比较器输出变为低电平时将变为有效)
EPwm1Regs.DCBCTL.bit.EVT1SRCSEL = DC_EVT1；// DCBEVT1 = DCBEVT1 (未滤波)
EPwm1Regs.DCBCTL.bit.EVT1FRCSYNCSEL = DC_EVT_异 步；//采用异步路径
//启用 DCAEVT1和 DCBEVT1是一次性触发源
//注意：DCxEVT1事件可定义为单次触发。
// DCxEVT2事件可定义为逐周期。
EPwm1Regs.TZSEL.bit.DCAEVT1 = 1；
EPwm1Regs.TZSEL.bit.DCBEVT1 = 1；
//我们希望 DCAEVT1和 DCBEVT1事件执行什么操作？
// DCAEVTx 事件会强制 EPWMxA
// DCBEVTx 事件会强制 EPWMxB
EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZA = TZ_FORCE_LO；// EPWM1A 将变为高电平
EPwm1Regs.TZCTL.bit.TSB = TZ_FORCE_LO；// EPWM1B 将变为低电平
EDIS；
//----------------------------------
//comp3
//------------------------------------
EALLOW；
//配置模拟比较器
Comp3Regs.COMPCTL.bit.SYNCSEL = 1；//与 SYSCLK 同步/使用限定条件
Comp3Regs.COMPCTL.bit.QUALSEL = 3；//需要输入针对3个连续 SYSCLK 保持稳定
Comp3Regs.COMPCTL.bit.CMPINV = 0；//输出为低电平
Comp3Regs.COMPCTL.bit.COMPSOURCE = 0；//使用内部 DAC
Comp3Regs.COMPCTL.bit.COMPDACEN = 1；//启用 DAC
Comp3Regs.DACVAL.bit.DACVAL = 496；//
EDIS；
// EINT；//启用全局中断 INTM
// ERTM；
｝
----------------------------------------------------
//不要修改此行。
#define DELAY_US (a) DSP28x_usDelay (((( long double) A * 1000.0L)/(long double) cpu_rate)- 9.0L)/ 5.0L
