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[参考译文] TMS320F280039C：对仿真 EEPROM/Data Flash 的读取操作

admin
Guru**** 2226870 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1176368/tms320f280039c-read-operation-on-emulated-eeprom-data-flash

器件型号：TMS320F280039C

您好！

我想使用2个每个8 KB 的扇区来存储一些 数据。  

通过参考为闪存内核编程提供的示例代码、可以写入这些扇区并删除这些扇区。  

但 F021库没有任何与读取操作相关的接口。

为什么会这样？

此外、  在手动执行 ReadData 函数之后、如果我尝试读取闪存的内容。 它仅在分步调试模式下工作。 在自由运行代码时 、系统不支持闪存不可纠正的错误 NMI。  

原因可能是什么？

  • 0
    TI__Guru**** 2226870 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    无需特殊的 API 即可读取闪存地址；只需直接访问该地址即可。 对于擦除和编程、在执行物理操作时会涉及特殊模式命令和时序、因此需要 API。 对于读取、由于闪存读取时钟频率不同、除了等待状态外、简单的存储器总线访问的工作方式与任何其他存储器区域相同。

    如果您在对闪存编程后收到 NMI 并尝试读取数据、那么在编程操作期间 ECC 数据很可能会丢失或不正确。 查看闪存示例1中的 Example_ProgramUsingAutoECC、了解如何正确执行此操作。 特别是，对 Fapi_issueProgrammingCommand()的调用应将 Fapi_AutoEccGeneration 作为最后一个参数。

    此致、
    Ibukun