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器件型号：TMS320F28379D 您好、C2000冠军
我看到 ADC VREFHI 的数据表显示在12位模式下放置1 μ F 电容器、在16位模式下应该放置22 μ F、对吗？ 因为 controlCARD 仅放置2.2uF。
同时、数据表还指出、所有 VDD 去耦电容应至少为20uf、但 controlCARD 也不满足这一要求。
请帮助评论。
您好、C2000冠军
我看到 ADC VREFHI 的数据表显示在12位模式下放置1 μ F 电容器、在16位模式下应该放置22 μ F、对吗？ 因为 controlCARD 仅放置2.2uF。
同时、数据表还指出、所有 VDD 去耦电容应至少为20uf、但 controlCARD 也不满足这一要求。
请帮助评论。
尊敬的 Eric：
在 F28379D controlCARD 中、我们放置了22uF 电容器、这应该支持16位操作。 F2837xS launchpad 等其他套件具有更小的电容器、并支持12位模式(尽管16位性能可能仍然很好)。
至于去耦电容、指南中的"1.2V 数字逻辑电源引脚。 TI 建议在每个 VDD 引脚附近放置一个去耦电容器、其最小总电容约为20uF。 去耦电容的确切值应由您的系统电压调节解决方案确定。"
因此、这不是一项硬性要求。
controlCARD 上有7 x 0.1uF + 2 x 10uF。 电感磁珠后面的10uF 无法滤除高频瞬态、因此去耦电容~10.7uF。
实际上、使用高质量电容器、将至少一个电容器放置在非常靠近每个引脚的位置、并根据电路板元件放置和配电布线的具体细节以合理的方式对其余电容器进行物理分布更为重要。
