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[参考译文] TMS320F28379D:EMIF -引脚多路复用结果与 TRM 建议

Guru**** 2534270 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/605749/tms320f28379d-emif---pinmux-results-versus-trm-recommendations

器件型号:TMS320F28379D

我有一个使用 SRAM 的应用程序、如下所示:

1. 1M x 16异步 SRAM (Cypress CY7C1061GN30-10,   )在正常模式下使用 EMIF1_CS2_N (2Mx16 space,0x0010 0000至0x002F FFFF)。
2.256K X 16异步 NVSRAM (Cypress CY14B104NA-ZS20,   )在正常模式下使用 EMIF_CS3_N (512Kx16空间,0x0030 0000至0x0037 FFFF)。 该器件充当标准 SRAM、在断电或 SW 命令时自动将数据存储到非易失性元件中。

在 pinmux 工具中选择 EMIF 接口时、不会调试 EMDQMx 引脚、尽管 TRM 建议使用这些引脚在低字节和高字节之间进行选择。 但是、如果我们遵循 TRM、我们最终没有足够的可用地址引脚。

我们是否有可使用的常规 SRAM 示例应用? 您能解释一下我们发现的差异吗?

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Lenio、

    您可以静态启用16b 存储器字的两个字节(例如、使用拉电阻器)。

    CPU 将始终访问这两个字节、因此无需对使能信号进行动态 EMIF 控制。

    Tommy