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[参考译文] TMS320F28069F:缓冲器设计-位置是否会影响电流和电压感应?

Guru**** 2350610 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28069F
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/595687/tms320f28069f-snubber-design---will-location-impact-current-and-voltage-sensing

器件型号:TMS320F28069F

您好!

我使用的是3KW、310V BLDC 逆变器。 由于空间限制、我不能使用太多的散热器、需要快速开关 MOSFET、因此我在电机相位上会出现一些较高的 dv/dt 尖峰。  我在 MOSFET 附近的每个电机相位导线上展示了缓冲器对这些尖峰的抑制。

我的设计非常典型、因为我有一个高电压栅极驱动器 TMS320F28069F、六个 MOSFET、一些栅极控制铁氧体以及反馈回 TMS320的相位电压和电流感应电阻器。

因此、我要问的是、对于 InstaSPIN 来说、缓冲器位置有哪些更好的选择?

我有两个选择:

1.电机相位和电源接地之间的缓冲器,这意味着整个电压和电流感应电阻器不会受到影响。

2.缓冲器直接位于低侧 MOSFET 源极和漏极引脚上。 这意味着相位 I/V 感应电阻器可以测量缓冲器消耗的一些能量。

在6个 MOSFET 中的每个 MOSFET 上都有一个缓冲器。

对于哪一个最适合 InstaSPIN、是否有任何建议?

谢谢

太棒了!

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    缓冲器位置基于电流感应方法和电源模块尺寸。 通常、将它们放置在电机相线和电源接地之间。