[参考译文] CCS/TMS320F28377D：写入多个闪存

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/593078/ccs-tms320f28377d-writing-flash-more-than-one

器件型号：TMS320F28377D
Thread 中讨论的其他器件：controlSUITE

工具/软件：Code Composer Studio

大家好、我正在尝试将 F28377D 的 flashA、flashB、flashC 器件用作 EEPROM (当软件运行时和软件重启时、我需要写入和读取一些非易失性数据)。我使用"\ti\controlSUITE\device_support\f2837xD\V210\F2837xD_examples_Dual\flash_programming\cpu01"作为参考
项目我在该项目上编写代码。我在下面解释了我的问题步骤。

1 -当数据从串行端口成功发送到闪存 A 时、我正在写入闪存(我将闪存 A 闪存 B 和闪存 C 组合在一起)
2 -我切断电源、然后接通电源、我正在读取写入 flashA 的数据、但没有数据块
3 -当数据从串行端口传输到闪存 A 时、我再次写入闪存
4 -我再次切断电源、然后打开电源、我正在读取写入 flashA 的数据、但在步骤1而非步骤3中写入数据

我正在使用 CCS 6.2.0、当我的软件在硬复位后启动时、它会读取闪存数据、当数据来自串行端口时、它会写入闪存。

我想我只是第一次成功地撰写。什么可能是问题？

链接器文件是

/*
//######################################################################################################################
//文件：flash_programming_cpu1_flash.cmd
//标题：所有 F28X7x 器件的链接器命令文件
//######################################################################################################################
//$TI 版本：F2837xD 支持库 V210 $
//$Release Date：Tue Nov1 14：46：15 CDT 2016 $
//版权所有：版权所有(C) 2013-2016 Texas Instruments Incorporated -
// http://www.ti.com/ 保留所有权利$
//######################################################################################################################
*

/*===================================================================
//适用于 Code Composer Studio V2.2和更高版本
//--------------------------------------------------------
//除了该内存链接器命令文件外，
//将头文件链接器命令文件直接添加到工程中。
//链接时需要标头链接器命令文件
//将外设结构设置到内部的适当位置
//存储器映射。
//在中找到了头文件链接器文件 \F2837xD_headers\cmd
//对于 BIOS 应用程序添加：F28X7x_Headers_BIOS.cmd
//对于非 BIOS 应用程序添加：F28X7x_Headers_nonBIOS.cmd
=================================================================================================== *

/*定义 F28X7x 的存储器块开始/长度
PAGE 0将用于组织程序段
第1页将用于组织数据段

注：
F28M3Xx 上的存储器块是一致的(也是相同的
物理存储器)。
不应该是相同的存储器区域
同时为 PAGE 0和 PAGE 1定义。
这样做将导致程序损坏
和/或数据。

可以是连续的 SARAM 存储器块或闪存扇区
组合在一起以创建更大的存储器块。
*

存储器
｛
第0页：/*程序内存*/
/*内存(RAM/FLASH)块可移动到 Page1进行数据分配*/
/* begin 用于"引导至闪存"引导加载程序模式*/

开始：origin = 0x080000，length = 0x000002
RAMM0：origin = 0x000122、length = 0x0002DE
RAMD0：origin = 0x00B000、length = 0x000800
RAMLS03：origin = 0x008000、length = 0x002000
/* RAMLS1：origin = 0x008800，length = 0x000800
RAMLS2：origin = 0x009000，length = 0x000800
RAMLS3：origin = 0x009800、length = 0x000800 *
RAMLS4：origin = 0x00A000，length = 0x000800
RAMGS14：origin = 0x01A000，length = 0x001000
RAMGS15：origin = 0x01B000，length = 0x001000
复位：origin = 0x3FFFC0，length = 0x000002

/*闪存扇区*/
// FLASHA：origin = 0x080002，length = 0x001FFE //片上闪存*/
// FLASHB：origin = 0x082000，length = 0x002000 //片上闪存*/
FLASHD：origin = 0x086000、length = 0x002000 //片上闪存*/
FLASHE：origin = 0x088000、length = 0x008000 //片上闪存*/
FLASHF：origin = 0x090000，length = 0x008000 //片上闪存*
FLASHG：origin = 0x098000、length = 0x008000 //片上闪存*/
FLASHH：origin = 0x0A0000，length = 0x008000 //片上闪存*/
FLASHI：origin = 0x0A8000、length = 0x008000 //片上闪存*/
FLASHJ：origin = 0x0B0000，length = 0x008000 //片上闪存*/
FLASHK：origin = 0x0B8000、length = 0x002000 //片上闪存*/
FLASHL：origin = 0x0BA000、length = 0x002000 //片上闪存*/
FLASHM：origin = 0x0BC000、length = 0x002000 //片上闪存*/
FLASHN：origin = 0x0BE000、length = 0x002000 //片上闪存*/

第1页:/*数据存储器*/
/*内存(RAM/FLASH)块可移动到 PAGE0进行程序分配*/

BOOT_RSVD：origin = 0x000002，length = 0x000120 // M0的一部分，引导 ROM 将此用于栈*/
RAMM1：origin = 0x000400、length = 0x000400 //片上 RAM 块 M1 *
RAMD1：origin = 0x00B800，length = 0x000800

RAMLS5：origin = 0x00A800，length = 0x000800

RAMGS0：origin = 0x00C000、length = 0x001000
RAMGS1：origin = 0x00D000、length = 0x001000
RAMGS2：origin = 0x00E000、length = 0x001000
RAMGS3：origin = 0x00F000、length = 0x001000
RAMGS4：origin = 0x010000，length = 0x001000
RAMGS5：origin = 0x011000，length = 0x001000
RAMGS6：origin = 0x012000，length = 0x001000
RAMGS7：origin = 0x013000，length = 0x001000
RAMGS8：origin = 0x014000，length = 0x001000
RAMGS9：origin = 0x015000，length = 0x001000
RAMGS10：origin = 0x016000，length = 0x001000
RAMGS11：origin = 0x017000，length = 0x001000
RAMGS12：origin = 0x018000，length = 0x001000
RAMGS13：origin = 0x019000，length = 0x001000
FLASHA：origin = 0x080002，length = 0x005FFE // flashA，B，C 组合

CPU2TOCPU1RAM：origin = 0x03F800，length = 0x000400
CPU1TOCPU2RAM：origin = 0x03FC00，length = 0x000400
｝

部分
｛

/*分配计划领域：*/
.cinit：> FLASHD PAGE = 0
.pinit：> FLASHD，page = 0
.text：>> FLASHD | FLASHE PAGE = 0
codestart：> begin page = 0

#ifdef __TI_Compiler_version__
#if __TI_Compiler_version__>=15009000
组
｛
.TI.ramfunc
｛-l F021_API_F2837xD_FPU32.lib｝

}负载= FLASHD，
运行= RAMLS03、
load_start (_RamfuncsLoadStart)、
load_size (_RamfuncsLoadSize)、
load_end (_RamfuncsLoadEnd)、
run_start (_RamfuncsRunStart)、
run_size (_RamfuncsRunSize)、
run_end (_RamfuncsRunEnd)、
PAGE = 0
其他
组
｛
ramfuncs
｛-l F021_API_F2837xD_FPU32.lib｝

/*分配未初始化的数据段：*/
.stack：>RAMM1 page = 1.
.ebss：>> RAMLS5 | RAMGS0 | RAMGS1 PAGE = 1.
.esysmem：> RAMLS5 PAGE = 1.

/*初始化段进入闪存*/
econst：>> FLASHF | FLASHG PAGE = 0
.switch：> FLASHD PAGE = 0

.reset：> reset，page = 0，type = DSECT //未使用，*/

filter_RegsFile：> RAMGS0，PAGE = 1

SHARERAMGS0：> RAMGS0，PAGE = 1
SHARERAMGS1：>RAMGS1，PAGE = 1.

/*闪存编程缓冲器*/
BufferDataSection：>RAMD1，PAGE = 1，ALIG(4)

/*使用 IPC API 驱动程序时需要以下部分定义*/
组：> CPU1TOCPU2RAM，PAGE = 1
｛
PUTBUFFER
PUTWRITEIDX
GETREADIDX
｝

组：> CPU2TOCPU1RAM，PAGE = 1
｛
GETBUFFER：TYPE = DSECT
GETWRITEIDX：TYPE = DSECT
PUTREADIDX：TYPE = DSECT
｝

｝

/*
//============================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================
//文件结束。
//============================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================
*

我的代码闪存例程

//////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
void CallFlashAPI (uint32 flash_adress)
｛
uint32 u32Index = 0；
uint16 i = 0；

Fapi_StatusType oReturnCheck；
易失性 Fapi_FlashStatusType oFlashStatus；
Fapi_FlashStatusWordType oFlashStatusWord；

EALLOW；

Flash0EccRegs.ecc_enable.bit.enable = 0x0；

oReturnCheck = Fapi_initializeAPI (F021_CPU0_BASE_ADDRESS、200)；

if (oReturnCheck！= Fapi_Status_Success)
｛
Flash_error (oReturnCheck)；
｝

oReturnCheck = Fapi_setActiveFlashBank (Fapi_FlashBank0)；
if (oReturnCheck！= Fapi_Status_Success)
｛
Flash_error (oReturnCheck)；
｝

if (flash_write_command=1)//用于写操作
｛
for (i=0、u32Index = flash_adress；
(u32Index <(flash_adress + 48))&&
(oReturnCheck = Fapi_Status_Success)；i+= 8、u32Index+= 8)
｛
oReturnCheck = fapi_issueProgrammingCommand (((uint32 *) u32Index、RBuffer+I、8、0、0、Fapi_DataOnly)；

while (fapi_checkFsmForReady ()=fapi_Status_FsmBusy)；

if (oReturnCheck！= Fapi_Status_Success)
｛
Flash_error (oReturnCheck)；
｝

oFlashStatus = fapi_getFsmStatus()；

oReturnCheck = fapi_doVerify (((uint32 *) u32Index、
4、RBuffer32+(I/2)、
oFlashStatusWord (&O)；

if (oReturnCheck！= Fapi_Status_Success)
｛
Flash_error (oReturnCheck)；
｝
｝
｝
否则、如果(flash_write_command=0)//进行读取操作
｛

for (i=0、u32Index = flash_adress；
(u32Index <(flash_adress + 48))&&
(oReturnCheck = Fapi_Status_Success)；i+= 8、u32Index+= 8)
｛
Fapi_doMarginiad (((uint32 *) u32Index、(uint32 *)(RBuffer+I)、8、Fapi_normalRead)；
//DELAY_US (10)；
｝
Read_Buffer_With Integer 值()；
｝
Flash0EccRegs.ecc_enable.bit.enable = 0xA；
EDIS；

ReleaseFlashPump()；

flash_done ()；
｝

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2347060 points

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您好！

1) 1)如何确认未在步骤3中对数据进行编程？在步骤3中编程时验证是否通过？

2) 2)在应用程序中使用 Fapi_doMarginiad()的原因是什么？您通过使用此功能实现了哪些目标？

谢谢、此致、
Vamsi

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2347060 points

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你(们)好

1) 1) 我正在将数据写入来自串行端口的闪存、与步骤1相同、在此之后我切断电源、然后接通电源。当系统自动重新启动时

读取我之前写入数据的闪存部件。由于我对步骤1和步骤2应用了相同的过程、结果成功、我认为在写入时存在问题

第3步、因为第4步、我在第1步写入数据时读取数据、而不是在第3步。

2) 2)我使用的是 fapi_doMarginiad()，因为我想读取我以前写过的闪存数据，它在步骤2中工作时没有问题。

我在步骤1写入数据相同的闪存位置、步骤3存在限制、或者必须反复写入数据相同的闪存地址。(我正在写入数据并从地址0x080050开始读取数据、其长度为0x30)

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2347060 points

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大家好、在写入数据擦除所有扇区之前、似乎解决了我的问题。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2347060 points

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您好！

根据您的回复、您好像在对相同的闪存位置进行多次编程(每次重启一次)而不擦除。正如您现在所了解的、您需要先擦除闪存、然后才能重新编程不同的数据。但是、您不需要每次擦除整个闪存、而是擦除您尝试对数据进行编程的扇区。

谢谢、此致、

Vamsi

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

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