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[参考译文] 编译器/TMS320F28377D:EMIF 连接 SDRAM 和 SRAM 时的地址问题

Guru**** 2547870 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/627022/compiler-tms320f28377d-the-address-problem-when-emif-connects-sdram-and-sram

器件型号:TMS320F28377D

工具/软件:TI C/C++编译器

我在 TI E2E 社区中看到其他人的问题。   

e2e.ti.com/.../587339

28377通过 EMIF 连接 SDRAM 和双端口 RAM。 双端口 RAM 的最高地址线路 A13、A14与 SDRAM 行和列选择信号复用。

现在、参考手册说明 EM1A13和 EM1A14分别与 CAS# RAS#、EM1A0~EM1A12连接到13条地址线。 我是否可以使用 EM1A13和 EM1A14引脚来扩展第十三和第十四个地址线?

我看到了答案。 我有疑问。  如何使用某些 GPIO 引脚实现 ASRAM 的更高地址范围。 现在、我使 GPIO 直接与 双端口 RAM 的更高地址线路相连 。 我 尝试将数据写入更高的地址、我将 GPIO 设置为"1"、但它不起作用。 我参考2837xD 的 TRM、有一个有关 EMIF 的示例、用于 SDRAM 和闪存。 在图25-15中、我看到 GPIO 具有一些接地电阻。 我是否必须使 GPIO 具有 接地电阻?  

另一个问题  :    图 b 中 X 的最大值是什么)

 

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    [引用 user="user5063758"]28377通过 EMIF 连接 SDRAM 和双端口 RAM。 双端口 RAM 的最高地址线路 A13、A14与 SDRAM 行和列选择信号复用。

    现在、参考手册说明 EM1A13和 EM1A14分别与 CAS# RAS#、EM1A0~EM1A12连接到13条地址线。 我是否可以使用 EM1A13和 EM1A14引脚来扩展第十三和第十四个地址线?[/QUERT]

    如果您使用 SDRAM (CS0)与同一 EMIF 上的其他存储器并联、则需要在存在引脚多路复用冲突的情况下为 SDRAM 提供优先级。

    [引述 user5063758">我看到了回复。 我有疑问。  如何使用某些 GPIO 引脚实现 ASRAM 的更高地址范围。 现在、我使 GPIO 直接与 双端口 RAM 的更高地址线路相连 。 我 尝试将数据写入更高的地址、我将 GPIO 设置为"1"、但它不起作用。 我参考2837xD 的 TRM、有一个有关 EMIF 的示例、用于 SDRAM 和闪存。 在图25-15中、我看到 GPIO 具有一些接地电阻。 我是否必须使 GPIO 具有 接地电阻?  [/报价]

    GPIO 控制的地址线路不需要下拉电阻器。  尝试此操作时、您会看到什么行为?

    [引用 user5063758"]另一个问题  :    图 b 中 X 的最大值是什么)

    默认情况下、X 是器件上可用的最大 Emna[X]。  它也可以是您实现的最高软件控制 GPIO 信号。

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