大家好! ;)
我现在已经完成了构建用于电机控制的三相逆变器的硬件工作。 逆变器应由我的 F28069M-LaunchPad 运行。 为了避免 IGBT 模块(B6桥接拓扑)发生击穿、我想在下降沿和下一个上升沿之间插入一个死区时间。 我 µs 死区时间为1.4 μ s、在我的90MHz MCU 上大约为126个时钟周期。
我在 E2E 论坛上发现了这篇文章、其中介绍了在 Simulink 的"死区单元"选项卡中设置这样一个死区时间所需的所有步骤:
https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/p/152067/551099#551099
但是、我设置的所有内容都与本文中提到的内容相同、但我的示波器显示在一个开关的下降沿和另一个开关的上升沿之间没有插入死区。 µs、我们最好这样说:确实插入了1.4 μ s 的死区、但不仅上升沿被延迟、而且下降沿也被延迟。 (我发现这是因为在占空比为10%时、ePWM1A 信号一直处于低电平、而 ePWM1B 信号一直处于高电平。) 这不应该发生。 下降沿应立即发生、只应延迟上升沿。
您知道我在这里犯了什么错误吗? 我将在下面附上我的配置的一些屏幕截图。
此致、
Armin







