请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:TMS320F28027F 所有、
我正在使用 IEC_60730 TI 固件中的 STL_CRC_TEST_testNvMemory ()函数来计算存储器区域 B 到 D 的闪存 CRC。在程序开始时计算 CRC 每次都会产生相同的 CRC。 如果我在操作期间运行相同的 CRC 函数、我会得到不同的 CRC 结果、该结果将在后续调用中发生变化。 我目前没有任何修改闪存的程序函数。 如果有任何帮助,我们将不胜感激。
void IEC_Running_CRC (void){ DINT; IEC_disableFlashPreFetch (); STL_CRC_TEST_testNvMemory ((uint32_t *) FLASH_SECURE_B_D_START、(uint32_t *) FLASH_SECURE_B_D_END、(uint64_t *)&goldencrc_start、(Uint_t *);(Ut_eCRC_REt_eCRC_REturge)= eCRC_REt_eCRC_REt_INT_REt_INT_REt_INT_REt_4 ;}
此致、