您好！
我一直在尝试将闪存 B 扇区划分为 FLASHB_1和 FLASHB_2、以便我可以通过应用在 FLASHB_2中写入校准值。 我能够对 FLASHB 扇区进行分区、并能够通过应用程序写入 FLASHB_2扇区。 但是，在这之后，当我进一步执行应用程序时，在 while (1)循环中 会生成_中断 void ADCINT1_ISR (void)，而这在我的应用程序中不使用。 我对 FLASHB 扇区进行分区是否正确？ 以下是.cmd 文件中的应用程序和更改。 FlashInit 和 FlashEraseVerify 编程在 while (1)循环一次仅用于写入之前调用。 因为当我通过调试器刷写代码时、所有扇区都会被擦除、所以我没有在应用中调用 FlashErase API。
.cmd 文件
FLASHB_1：origin = 0x3F0000，length = 0x003500 //片上 FLASHB，校准数据位于其中。
FLASHB_2：origin = 0x3F3500，length = 0x500 //校准数据所在的片上 FLASHB。
//以后删除下一部分->减少链接器警告
FLASHA：origin = 0x3F4000，length = 0x003F80 //片上 FLASHA 用户
应用代码：
uint16 FlashEraseProgramVerify (void)；
void FlashInit (void)；
extern uint16 * RamfuncsLoadStart、* RamfuncsLoadEnd、* RamfuncsRunStart、* RamfuncsLoadSize；//TMB fix build error
空 FlashInit (空)
｛
memcpy (((uint16 *)&RamfuncsRunStart、(uint16 *)&RamfuncsLoadStart、(uint32)&RamfuncsLoadSize)；
EALLOW；
｛
Flash_CPUScaleFactor = scale_factor；
｝
EDIS；
EALLOW；
｛
Flash_CallbackPtr =空；
｝
EDIS；
EALLOW；
｛
FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 1；
FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 1；
｝
EDIS；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
ASM (" NOP ")；
｝
UINT16状态= 0；
UINT16 FlashEraseProgramVerify (空)
｛
Flash_ST FlashStatus；
uint16 * Flash_ptr；//指向闪存中某个位置的指针
uint16 uscnt；
uint16 buff [10]=｛0、1、2、3、4、5、6、7、8、9｝；
Flash_ptr =(UINT16 *) 0x3F3500；
状态= Flash_Program (Flash_ptr、buff、sizeof (buff)、FlashStatus)；
if (状态！= 0)
｛
返回0；
｝
其他
｛
for (usCnt = 0；usCnt < sizeof (buff)；usCnt++)
｛
buff [usCnt]= 10 + usCnt；
｝
Flash_ptr =(uint16 *) 0x3F3500 + sizeof (buff)；
状态= Flash_Program (Flash_ptr、buff、sizeof (buff)、FlashStatus)；
if (状态！= 0)
｛
返回0；
｝
其他
｛
返回1；
｝
｝
｝
此致、
Chandrakant Pal
