工具/软件：Code Composer Studio
大家好、
我正在为半桥转换器配置互补 PWM (高侧和低侧)。
频率和死区时间在第三个 EPMW1B (LS)的下降沿之前是正确的。 下面附上了 ePWM 的代码。 互补 ePWM 由死区模块生成。
我想知道 ePWM 的启动行为是否受到控制、以及哪些寄存器与哪些寄存器相关？
(* ePWM[n]).TBCTL.bit.PRDLD = TB_SHADOW；//设置 CTR=0上的负载
(* ePWM[n]).TBPRD =周期-1；// PWM 频率= 1/周期
(* ePWM[n]).TBPHS.Half.TBPHS = 0；
(* ePWM[n]).TBCTR = 0；
(* ePWM[n]).TBCTL.bit.CTRMODE = TB_COUNT_UP；
(* ePWM[n]).TBCTL.bit.HSPCLKDIV = TB_DIV1；
(* ePWM[n]).TBCTL.bit.CLKDIV = TB_DIV1；
(* ePWM[n]).TBCTL.bit.PHSEN = TB_DISABLE；
(* ePWM[n]).TBCTL.bit.SYNCOSEL = TB_CTR_ZERO；//同步"下流"
//计数器比较子模块寄存器
(* ePWM[n]).cmpa.half.cmpA =周期/2-1；//初始设置占空比50%
(* ePWM[n]).CMPB = 0；//初始设置占空比0%
(* ePWM[n]).cmPCTL.bit.SHDWAMODE = CC_SHADOW；
(* ePWM[n]).cmPCTL.bit.LOADAMODE = CC_CTR_PRD；
//操作限定符子模块寄存器
(* ePWM[n]).AQCTLA.bit.ZRO = AQ_SET；
(* ePWM[n]).AQCTLA.bit.CAU = AQ_CLEAR；
(* ePWM[n]).AQCTLB.bit.ZRO = AQ_NO_ACTION；
(* ePWM[n]).AQCTLB.bit.CAU = AQ_NO_ACTION；
(* ePWM[n]).AQCTLB.bit.PRD = AQ_NO_ACTION；
//高电平有效互补 PWM -设置死区
(* ePWM[n]).DBCTL.bit.in_mode = DBA_ALL；
(* ePWM[n]).DBCTL.bit.out_mode = DB_full_enable；
(* ePWM[n]).DBCTL.bit.POLSEL = DB_ACTV_HIC；
(* ePWM[n]).DBRED = 10；
(* ePWM[n]).DBFED = 10；
谢谢！
田
您好、Cody、
感谢您的建议、在完全配置 PWM 后、我将 GPIO 切换回 ePWM1A/1B。 对我来说、PWM 对看起来不错。 这样 、PWM 的不良部分会被手动屏蔽、但我仍然有 ePWM 触发的 SOC。 第一个 SOC 可能无法与第一个良好的 PWM 对同步。 我将告诉您这是否是一个问题。
谢谢、
天州
