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[参考译文] CCS/TMS320F28035：硬件设计

admin
Guru**** 2583495 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/653045/ccs-tms320f28035-hardware-design

器件型号：TMS320F28035

工具/软件：Code Composer Studio

1) TI 是否有关于 高压电源硬件参数设计的任何数据文档、例如如何根据 MOS 管的手动数据调整电路参数、例如如何避免米勒效应。

2) TI 是否有任何  有关电机驱动器硬件参数设计的数据文档、例如如何 根据 MOS 管的手动数据调整电路参数、例如如何避免米勒效应。

如果有适用于相关硬件设计的现成材料、有人能 指出这条路径吗？

换言之、避免同时 打开升压和降压 MOSFET。

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    TI__Guru**** 2583495 points
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    换言之、避免上升和下降 MOSFET 并同时断开。
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    TI__Guru**** 2583495 points
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    如果您正在寻找避免高低 FET 同时导通的方法、可以在硬件中避免这种情况。 它在两个开关中插入一个关断时间、称为死区。 您可以从 C2000的 ePWM 外设中找到有关此功能的更多信息。

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    TI__Guru**** 2583495 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    不是这个。