C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

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[参考译文] TMS320F28069：使用 PID 库

admin

Other Parts Discussed in Thread: CONTROLSUITE, C2000WARE

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/651377/tms320f28069-using-pid-library

器件型号：TMS320F28069
Thread 中讨论的其他器件：controlSUITE、 C2000WARE

我通过引用"C：\ti\controlSUITE\libs\CONTROL_DCL\v1_00_00_00\docs"来实现 PID。

本文档介绍了第0页中的将库映射到 RAM

dclfuncs：>RAML4，page = 0

这样、我就无法使用 C2Prog 对 MCU 进行编程、因为它用于为我提供扇区违规错误。

因此我更改了

dclfuncs：>FLASHF，PAGE = 0

这解决了 C2Prog 问题、程序也正常工作。

我想问专家、这是正确的吗？ PID 库是否可以分配给闪存？

请提供指导。

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2250420 points

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是的、您可以安全地将库函数分配给闪存。请记住、从闪存执行代码的速度比从 RAM 执行代码的速度慢。通常、我们希望控制器尽可能快地执行、以最大限度地减少循环中的延迟、因此将 DCL 函数分配给命名段"dclfuncs "、以便用户在需要时在执行之前将其复制到 RAM 中。

顺便说一下、C2000Ware 中提供了更新版的 DCL。我建议下载该文件、因为自 v1以来已有一些改进。在较新版本中、您将找到 F28069的代码示例、这些示例可能会对您有所帮助。

此致、

Richard

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2250420 points

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[引用 user="Richard Poley">请记住、从闪存执行代码的速度比从 RAM 执行代码的速度慢。 [/报价]

主席先生，

1)受执行时间影响的程度。我正在调用控制器函数

UK = DCL_runPID (&pid1、rk、yk lk)；

30 μ s 的 ADC 中断。

2)是否有任何方法可以越过"扇区冲突(范围：0x8090... 0x809f)"中添加了"0x809f)"。串行编程时的示例。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2250420 points

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此器件上的原始闪存访问时间大约为30ns、但由于 C28x 使用128位提取缓冲区、因此代码执行速度会更快。如果将其保持为满(无分支)、则表示您已正确初始化闪存、并且根据16位与32位操作码混合、您应该会在90MHz 器件上看到大约70MIPS 的闪存执行。您所使用的 PID 控制器在70个周期内执行、因此在 RAM 中需要778ns、在闪存中需要大约1us。

我不熟悉 C2Prog、但我猜问题会发生、因为您将"dclfuncs"段直接链接到 RAM 中。对于在 RAM 中执行的函数、您应该在闪存中分配加载地址和在 RAM 中分配运行地址、以便链接器将代码放置在闪存中(其中 C2Prog 加载)、并且您的代码会在程序启动时将其复制到 RAM 中。有一份很好的应用手册描述了以下过程：

www.ti.com/.../spra958l.pdf

在 controlSUITE (和 C2000Ware)中的"device_support"目录下还有一个 F28069的代码示例。

但愿这对您有所帮助。

此致、

Richard