[参考译文] CCS/TMS320F28075：先前工作的项目现在卡在引导 ROM 中

再进一步……  将100K 上拉电阻更改为1K...  没有骰子...  仍然很低(不是很零)、大约3mA 以上会将其拉低。

此时、唯一的选择是覆盖默认值并实际写入 OTP 引导控制位。

处理器现在在复位和断电/开启时启动闪存。  我仍然不知道、也不清楚为什么在引导 ROM 启动时 GPIO72会拉低。

如果不是、我向引导加载程序添加了一个检查、以验证 OTP 是否为正确的位。  它将其写入强制闪存的值。

#pragma CODE_SECTION (Flash_Setup_OTP、ramFuncSection)；
UINT16 Flash_Setup_OTP (void)
｛
//设置 OTP 以强制从闪存加载引导加载、因为我们不使用 TI 的引导加载程序：

UINT32 tempBoot；
//将 GPIO84设置为引导选择引脚1 (通常分配给 CANB 的 GPIO72)：
< GPIO32
引脚=引导< GPIO85；//将 GPIO84设置为引导引脚
tempBoot +=(UINT32) 85 << 16；
//将引导模式设置为获取/等待(始终引导至闪存或在仿真器连接时等待)：
//0xFF 被用作定义的"其他"、这意味着闪存/等待、并且意味着此值可在以后被覆盖：
tempBoot +=(UINT32) 0xFF << 8；
//设置
tempBoot +=(UINT32)


uint16 Buffer[2]；//数据值缓冲
区缓冲区[0]=(uint16)(tempBoot & 0xFFFF)；
Buffer[1]=(uint16)(tempBoot >> 16)；

volatile Uint32 Address = DCSM_Z2_BOOTCTRL_ADDRESS；

//查看是否已写入：
if (Dcsm_Z1t/totrfb)





；//
将 temp1tosl_otr1t/taturt1t1t.trl 写入：// tosl_t/temp_totr1totr1t/temp_trap_time-totr1t&trl；//检查 temp_totr1totr1totrf_trap_time-totr1tos/t.tosr1t
oReturnCheck = Fapi_issueProgrammingCommand ((UINT32 *) Address、&Buffer[0]、2、0、0、 fapi_AutoEccGeneration)；

while (fapi_checkFsmForReady ()== fapi_Status_FsmBusy)；
EDIS；

if (oReturnCheck！= Fapi_Status_Success)
｛
//
检查闪存 API 文档中是否存在可能的错误
//
返回 false；
｝

返回 true；
｝

返回 true；

｝ 

注意： 这也可以在 Z1中完成、但如果您编写这两个文件、则可以使用。  如果我想稍后更改 Z1、我仍然可以使用 Z1、并且我已经编写了 Z2。

对于希望写入这些值的人来说、这一过程是半复杂的。  写入这些值需要 CSM 解锁(在这个函数之前完成)、闪存 API 被初始化(在这个函数之前也完成)、然后写入这些值、就像它们是闪存一样、你正在将程序代码写入(显示)。  我认为闪存的这个部分不需要 ECC 自动生成选项、但它可以处理、所以我将其保留。