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[参考译文] TIDM-BUCKBOOST-BIDIR:如何获取文档中提到的这些参数?

Guru**** 2616395 points

Other Parts Discussed in Thread: CONTROLSUITE

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/697222/tidm-buckboost-bidir-how-to-get-these-parameters-mentioned-in-the-doc

器件型号:TIDM-BUCKBOOST-BIDIR
Thread 中讨论的其他器件:controlSUITE

尊敬的香榭丽舍

您是否会帮助解释这些参数是如何推导或计算的?

我们想知道是否以及如何根据我们的条件修改这些参数。

1) 1) Vout_Ref 增益和输出电压?

2) 2)在此设计中、您提到过您遵循了此白皮书"高效率宽负载范围降压/升压/桥式光伏微型转换器"。

它说:

"PWM 限制是由100nsec (S2和 S4)和133nsec (S1和 S3)的最小开关打开时间以及所有开关转换的150nsec 死区时间所强加的。 因此、降压占空比 dBu (S1导通时间的小数)不能具有0.9和1.0之间的值。 同样、升压占空比 dbo (S3导通时间的小数)不能在0和0.033之间存在。 下面描述的 PWM 方法可在负载电流增加时在降压和升压模式之间实现平稳转换、同时符合所有开关限制。 转换器的理想直流增益由给出...

降压模式开关、其中 dbo = 0、用于0 1.034.占空比分辨率为0.00375%(150ps 步长)。 为了在降压到升压转换范围内获得相似的分辨率、采用了电桥开关。0.9 < G < 1.034。 桥接模式分为两个区域:br_a 和 br_b、如图 其中、dBu 和 dbo 是转换器增益的函数。 在 br_a 的低增益端、S3在其最小允许时间133ns 内被打开、对应的 dbo = 0.033。 同时、dBu = 0.875、可获得0.9052的增益。 为了增加在 br_a 区域内的增益、dBu 被增加至最大值0.9 (再次受到 S2最小导通时间的限制)、
对应0.9310的转换器增益。 在 br_B 区域中、dbo 在保持 dBu = 0.9时发生变化。 当可以使用最小 S3运行时间平稳过渡到升压模式时、达到 br_B 的高增益端1.033。 值得注意的是、考虑到最小和死区时间开关限制、此策略可在所有增益值下实现尽可能最小的平均电感器电流、从而更大限度地降低电感器和开关中的导电损耗。"

问:如何 在所有开关转换中获得"100nsec"(S2和 S4)和"133nsec"(S1和 S3)的最小开关打开时间和"150nsec"的死区时间?

如何 推算出这些100ns、133ns、150ns?

问:为什么这个 "dBu (S1导通时间的小数)不能具有0.9和1.0之间的值?

问:为什么"dbo (S3导通时间的小数)不能在0和0.033"之间存在?

问:如何获得0.9052? (同时、dBu = 0.875、增益为0.9052)

问:如何获得0.9310? (为了增加在 br_a 区域内的增益、dBu 被增加至最大值0.9 (再次受到 S2最短导通时间的限制)、对应于0.9310的转换器增益)

黄维恩

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    韦恩、

    Vout_Ref 增益和输出电压?

    我不确定问题是什么、对于不同的区域转换、我们在开环下使用了 Gain_Worksheet (C:\ti\controlSUITE\development_kits\TIDM_BUCKBOOST_BIDIR\v1_00_00_00\~Docs)、以获得相当平稳的转换。 由于转换的平滑度取决于所选的 FET、这是一个电流阶跃、或者至少这是我们为计算这些参数而执行的操作。

    您的其余问题都是针对该文件的、我们参考了该文件、但我没有分析该文件描述的每一行内容。 这些问题对于该论文的作者来说是很好的问题、您可以联系他们来解释具体数字。 我没有使用这些数字、我选择该数字的方式是通过增益工作表进行的。