[参考译文] TMS320F280049C：如何使用 Uniflash 写入闪存的特定区域

尊敬的 Astro：

1) 1)它将是给定地址处的连续数据吗？  如果是、您可以尝试二进制加载。  如果不是连续数据、则可以使用应用程序创建.out 文件并加载。  您是否遇到过这方面的任何问题？

2) 2)我们的编译器团队可以为您提供帮助。 请为此打开一个新帖子。

3)是的、使用 Uniflash、可以加载 CCS 生成的.out。  

谢谢、此致、
Vamsi

大家好、Vamsi

[引用 userid="16728" URL"~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1187140/tms320f280049c-how-to-write-to-a-specific-area-of-flash-with-uniflash/4472576 #4472576]1)它是否是给定地址的连续数据？  如果是、您可以尝试二进制加载。  如果不是连续数据、则可以使用应用程序创建.out 文件并加载。  您是否遇到过此问题？[/引述]

"连续数据"是什么意思？
我们想知道将应用代码的闪存映像写入 MCU 内置闪存组2的过程和设置方法。
写入闪存组2时、应更改哪些设置？

谢谢、

Astro

尊敬的 Astro：

1、连续数据： 假如您想在给定地址对256字节数据进行编程、那么它是连续的。  相反、如果要在给定地址对10个字节进行编程、然后在前一个地址+25处对另外15个字节进行编程、则它是非连续的。

2.为了将.out 文件编程到 F280049中的 Bank2、除了将应用映射到链接器命令文件中的 Bank2地址空间外、您不需要执行任何特殊操作。

谢谢、此致、
Vamsi

大家好、 Vamsi

[引用 userid="16728" URL"~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1187140/tms320f280049c-how-to-write-to-a-specific-area-of-flash-with-uniflash/4473412 #4473412]1. 连续数据： 假设您要在给定地址对256字节的数据进行编程-那么它是连续的。  相反、如果要在给定地址对10个字节进行编程、然后要在前一个地址+25处对另外15个字节进行编程、则该字节是非连续的。[/QUERP]

具体而言、我希望在应用程序代码运行时通过 SCI 将测试数据等写入闪存。 您有什么有用的信息吗？

谢谢、

Astro

Astro、

好的、我认为您正在询问 UniFlash 编程。

如果要在运行时对闪存进行编程、则需要使用闪存 API 库。

以下文档可提供帮助：

 http://www.ti.com/lit/pdf/spnu628

2 ．https://www.ti.com/lit/sprabv4 

谢谢、此致、
Vamsi

大家好、Vamsi

是否可以通过遵循右侧的流程图实现上述目标？ 如果您需要其他特殊治疗、请告诉我。

谢谢、

您好、Eevee、

该图概述了如何使用闪存 API 将数据编程到闪存中。

谢谢、此致、
Vamsi

大家好、 Vamsi

如果 C2000将通过 SCI 获得的数据保存到闪存、是否需要上面流程图中除了闪存 API 之外的任何步骤？

谢谢、