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[参考译文] F28M36P63C2：F28M36P63去耦建议

admin
Guru**** 2940070 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/728447/f28m36p63c2-f28m36p63-decoupling-recommendations

器件型号：F28M36P63C2

根据数据表：

VDDIOxxx："3.3V 数字 I/O 和闪存电源引脚。 在引脚 μF 连接0.1 μ F 电容器(典型值)。'

但是、controlCARD F28M36x_180controlCARD_R1.1原理图显示了完全不同的去耦结构、其中2/3电源引脚的组连接在一起并由2.2uF 和每组(11组)的磁珠去耦。

这些似乎不一致、我应该使用哪种去耦策略？

25MHz 时钟输入、使用所有引脚、使用这些外设 MII/SPI/I2C/UART。

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    TI__Guru**** 2940070 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Jon、

    数据表中的建议表示一个"理想"去耦解决方案、可用作为特定"现实世界"应用设计实用去耦解决方案的基准。 控制卡中使用的去耦策略就是这样的情况之一。 小型 BGA 封装(如 F28M36x 使用的封装)提供了元件放置和信号布线限制、必须与其他设计参数(如所用层数以及布线宽度和成本)协调。 对于大多数应用、可以通过将引脚连接到电源平面、然后将去耦电容器连接到同一平面来对引脚进行分组。 应注意两点-电容器应尽可能靠近引脚放置、并且总电容不应小于数据表中指定的值。