[参考译文] TMS320F28388D：使用 TMS320F28388DZWT 控制器对 SDRAM 信号进行仿真。 能够观察非单调性

 您发表了另一篇关于同一主题的帖子。  

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1213437/tms320f28388d-non-monocity-in-address-signal-for-sdram-using-tms320f28388dzwt-controller

Vivek Singh

您是否查看过  包含 EMIF 硬件参考设计详细信息的此应用手册？

此致、

Vivek Singh

是的、已参考应用手册- C2000 外部存储器接口(EMIF)的设计和使用指南。 但在本应用手册中、它包含2个或更多 SDRAM、建议使用 T 形放置或内联放置。

但在我的设计中、它是点对点拓扑、仅包含一个 SDRAM。

 e2e.ti.com/.../Design_5F00_Guidelines_5F00_EMIF.pdf

请指导如何针对点对点拓扑(只有一个 SDRAM)消除 Signa 中的非单调性。

谢谢。此致、

Haripriya S M.

可以。

我们以及许多其他客户都使用过单个 SDRAM (或 ASRAM)器件、但未遇到任何此类问题。 我将与我们的电路板设计专家讨论这一问题、并在几天后再与您联系。

此致、

Vivek Singh

如果能够尽快提供解决方案、将会非常有帮助。

谢谢。此致、

Haripriya S M.   

您正在使用哪些 IO 模型进行仿真？  

对 SDRAM CKE 信号进行仿真。

器件 f771682axzwt 引脚 W11、模型选择器：BCF3385D_Driver_Mode_3p3。

e2e.ti.com/.../sprm746a.ibs

请查看随附的 ibis 型号和设置信息。

谢谢。此致、

Haripriya S M.

您好！

SDRAM 是标准接口、在线提供了很多用于电路板设计的数据。 我们无法想到任何特定于我们的设计的东西。 下面是 TI 提供的另一个应用手册、您可以参阅、看看它是否有帮助。  

此致、

Vivek Singh

您好、Vivek、

从应用手册中可以看出、SDRAM 时钟是非单调性高于和低于 V measure。 了解这一信号如何影响硬件设计将非常有帮助。

由于布线中的阻抗不匹配、可能导致非单调性、这主要取决于拓扑、端接和驱动强度。

在我们的特定设计中、布线阻抗为50欧姆、驱动器具有63欧姆的阻抗。

在这种情况下、如何匹配阻抗？

请帮我解决这个问题。

如果将控制器和 SDRAM 的原理图放在同一块电路板上并放置串联终端、将会很有帮助。

谢谢。此致、

Haripriya S M.

很抱歉、我不确定对此有何建议。 所有信息都应可在 IBIS 模型和应用手册中提供的参考设计中找到。 我将咨询我们的电路板设计专家、看看他们是否有任何其他输入。

此致、

Vivek Singh  

您好  Haripriya、

我希望您能够解决这个问题。 如果您有任何关于此器件上的 EMIF 的其他疑问、请告知我们。

Vivek Singh

您好、Vivek、

 在控制器 IBIS 模型中又观察到了一个问题。

在验证 IBIS 模型检查文件解析器时产生12个错误。

BCF3335D_WK_PU_ON_3P3'：未定义斜坡

e2e.ti.com/.../4401.sprm746a.ibs

请帮助解决此问题。

谢谢。此致、

Haripriya SM  

您好！

请问您使用的是哪种工具？

Vivek Singh

您好！

HyperLynx 工具创建的

Haripriya S M.

好的、谢谢。 我已请求我们的设计团队提供信息。 请预计在未来几天内更新。

此致、

Vivek Singh

很抱歉、由于其他一些优先事项、我们的设计团队无法对此进行研究。 我再次要求他们调查这个问题。 我希望下周早些时候听到他们的讲话。