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大家好、我对 F28334中的引导模式有一些疑问。 我要使用 UART 和 CAN 等引导模式对我的 MCU 进行编程。
我了解到、我必须使 GPIO 84、85、86、87为高电平或低电平才能使 MCU 处于适当的引导模式。
从参考手册和其他文档中、我知道我需要将闪存内核代码转储到 MCU RAM、以在 MCU 闪存中刷写应用程序。
我是第一次处理启动模式、也是自己学习。 我有一些基本问题需要在这里提出。
1) 1)什么是闪存内核、我们为什么需要它?
2) 2)什么是闪存编程器实用程序?
3) 3)是否可以使用 UART 对 MCU 进行编程或不使用闪存内核的 CAN 引导模式?
4) 4)我们为什么需要将闪存内核放入 MCU RAM 中为什么不在闪存中?
5) 5)是否可以将闪存内核放入 MCU 闪存?
6) 6)是否可以使用 UART 或 CAN 引导模式将应用程序放置在 RAM 中?
7) 7) C2000中给出的串行闪存编程器是否适用于 F28334?
8) 8) C2000闪存编程器实用程序中未提供 F2833x_FW_upgrade_example。 要将其用于 F28334、应进行哪些更改?
9) 9) C2000实用程序中没有 CAN 闪存编程器应该如何使用 CAN 引导模式刷写应用程序?
等待答案、让我的疑虑清晰明了。 我曾提到 F2833x 的 TRM 和 C2000串行闪存编程应用手册。 但我有这些问题。
提前感谢。
此致。