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[参考译文] TMS320F28379D：我需要在闪存部分中创建大小为8192的结构数组、该结构数组应该具有读取/写入选项

admin
Guru**** 2533090 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28379D, C2000WARE

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1212741/tms320f28379d-i-need-to-create-the-structure-array-of-8192-size-in-flash-section-which-should-have-read-write-options

器件型号：TMS320F28379D
主题中讨论的其他器件： C2000WARE

大家好。

    我要将64K 字的阵列存储在内部闪存部分中、 这些数据将读取2字节,写入 2字节,我想使用扇区8和扇区9 ,如果有参考代码或示例代码,请与我分享,我正在使用 CPU1访问256KW 的内部闪存。

谢谢。

SID C

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    尊敬的 Sid：

    您是说您的应用具有一个64KB 的阵列、您可以随机读取或写入该64KB 的任何2个字节吗？ 您希望将该64KB 阵列放置在闪存中？  如果是、则意味着每次要更新已初始化的阵列位置时、都需要擦除并重新编程整个扇区。  您认为必须对已初始化的数组元素重新编程多少次？   

    谢谢。此致、

    Vamsi

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    尊敬的 Vamsi：

          它应该像应用说明中描述的 EEPROM 仿真一样工作： https://www.ti.com/lit/an/sprab69a/sprab69a.pdf?ts=1680545971642&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTMS320F28379D。

    谢谢。

    SID C

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    尊敬的 Sid：

    我只是在这方面提出问题。   

    鉴于您的目标是大量数据、我们需要确保闪存能够满足您的应用所需的耐用性(写入/擦除周期)。  因此提出了这些问题。   

    谢谢。此致、
    Vamsi

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    您好！  

         我们是否有 TMS320F28379D 系列的任何示例或示例代码？

    谢谢。

    SID C

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    尊敬的 Sid：

    没有、我们没有 F28379D 的示例代码。  但概念是相同的、只是由于 ECC、您需要一次至少对64位进行编程。

    谢谢。此致、
    Vamsi

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    尊敬的 Vamsi：

          请共享算法以及专用于在闪存中执行写入和读取操作的选择性 API。

    谢谢。

    Sideshwar C.

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    TI__Guru**** 2533090 points
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    尊敬的 Sideshwar：

    闪存擦除/编程 API 位于 C：\ti\cc2000\c2000Ware_4_03_00_00\libraries\flash_api\f2837xd。

     C：\ti\c2000\C2000Ware_4_03_00_00\device_support\f2837xd\examples\dual\flash_programming 中也提供了示例。

    您不需要任何用于读取的特殊 API。  您可以像对 RAM 一样编写读取代码。

    谢谢。此致、

    Vamsi