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器件型号：TIDM-1000 主题中讨论的其他器件：UCC21520
您好！
我已经将参考 Vienna 设计扩展为在更高的电源电压下运行、并将 Microchip/Microsemi 碳化硅 MOSFET 用作开关器件。
到目前为止，除以下一个问题外，这基本上是成功的：
我使用了与演示器(UCC21520)相同的栅极驱动器器件：就栅极电流和开关频率而言、它们似乎是合适的-
我后来发现其他器件可能更适合 SiC、但在额定值方面不特别。
我的问题是 UCC21520过热、这不是到目前为止出现的故障点、而是完全超出了我的预期(正常的20°C 室温下的90°C 表面温度)
我在使用 TI 栅极驱动器的不同应用中使用了相同的 FET、而不会出现任何明显的过热现象
稍后我发现、Microsemi SiC FET 强烈建议使用18-20V 的 VGSon、但我刚复制参考设计、并使用了15V 电源： 我正在向 Microchip 咨询这是否会给驱动器带来压力、但我想知道您对这一点以及驱动器运行温度如此之高的其他原因的看法、可能是因为特定的 Vienna 应用？
非常感谢
