大家好!
我有一个用于 DSP 320F28379D 的代码、它在 CPU 2上需要高内存 RAM (高 RAM 内存是由于高大小矩阵(例如、60x60、60x80大小矩阵))。 当我通过 CCS 编译代码时、我得到以下错误。
Lab_11_CPU2.cmd"、第46行:错误#10099-D:程序无法装入可用内存。 对".ebss"大小0x4eb7 page 1的对齐/分块运行放置失败。 可用存储器范围:
RAMM0大小:0x3b0未使用:0x1b0最大空洞:0x1b0
如上面的错误按摩师所示、RAMM0内存总共有3b0字节、但我的代码 需要大约0x4eb7 字节。 我的 Lab_11_CPU2.cmd 部分如下所示。
内存
{
第0页:/*程序存储器*/
Begin_M0:origin = 0x000000、length = 0x000002 /*部分 M0 RAM -用于"Boot to M0" bootloader 模式*/
RAMLS45:origin = 0x00A000,length = 0x001000 /* L4-5 RAM,DCSM 安全,CLA 程序 RAM */
Begin_FLASH:origin = 0x080000、length = 0x000002 /*闪存扇区 A 的一部分-用于"跳转至闪存"引导加载程序模式*/
FLASH_A:origin = 0x080002、length = 0x001FFE /*闪存扇区 A 部分- DCSM 安全*/
FLASH_BCDEFGHIJKLMN : origin = 0x082000, length = 0x03E000 /*闪存扇区 B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N 组合- DCSM 安全*/
复位(R):origin = 0x3FFFC0,length = 0x000002 /* Part of Boot ROM */
第1页:/*数据存储器*/
BOOT_RSVD:origin = 0x000002、length = 0x00004E /* M0 RAM 的一部分,引导 ROM 将此用于堆栈*/
RAMM0:origin = 0x000050、length = 0x0003B0 /* M0 RAM */
RAMM1:origin = 0x000400、length = 0x000400 /* M1 RAM */
CLA1_MSGRAMLOW:origin = 0x001480、length = 0x000080 /* CLA 至 CPU 消息 RAM、DCSM 安全*/
CLA1_MSGRAMHIGH:origin = 0x001500、length = 0x000080 /* CPU 至 CLA 消息 RAM、DCSM 安全*/
RAMLS0:origin = 0x008000、length = 0x000800 /* L0 RAM、DCSM 安全、CLA 数据 RAM */
RAMLS1:origin = 0x008800、length = 0x000800 /* L1 RAM、DCSM 安全、CLA 数据 RAM */
RAMLS2:origin = 0x009000,length = 0x000800 /* L2 RAM,DCSM 安全,CLA 数据 RAM */
RAMLS3:origin = 0x009800、length = 0x000800 /* L3 RAM、DCSM 安全、CLA 数据 RAM */
RAMD0:origin = 0x00B000,length = 0x000800 /* D0 RAM,DCSM 安全,ECC */
RAMD1:origin = 0x00B800,length = 0x000800 /* D1 RAM,DCSM 安全,ECC */
}
对于发送存储器错误、分配给 L0-L5、D0-D1和 GS0-GS15的 RAM 区域与 RAMM0结合在一起、但代码不起作用。
我需要特别增加.ebss 的 RAM 存储器。 您能帮助我如何操作吗?
谢谢...
此致...
