大家好!
我对自定义引导加载程序有点困惑。
在不同的 TI-C2000文档中,我看到了 如下的表达式:
"闪存读取和写入操作无法在同一闪存存储体上同时执行。"
"TI 器件的规则是 CPU 不能从尝试编程或擦除的同一存储体执行代码。
"代码执行和闪存编程不能在同一组中发生。"
此外、我还看到了许多有关自定义引导加载程序的 e2e 线程。
自定义引导加载程序的大多数情况如下:
定制引导加载程序放置的段 A
放置应用程序代码段 C
(引导加载程序和应用程序代码在同一闪存组中。 因为 TMS320F28388D 上只有一个闪存组。)
需要固件更新时、引导加载程序擦除闪存 部分 C、并使用新的应用程序代码对闪存进行编程。
因此从 A 节的代码执行,闪存编程到 C 节的代码执行?
自定义引导加载程序是否会违反此闪存组规则?