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器件型号：TMS320F28335 Thread 中讨论的其他器件：SYSBIOS
我将一个 RS -485收发器连接到 SCI-B TX/RX 引脚、并以921600的波特率配置。
SYSCLKOUT 被配置为60MHz (20Mhz OSC、PLLCR[DIV]= 6、PLLSTS[DIVSEL]= 2)。
LSPCLK 被配置为15Mhz (LOSPCP [LSPCLK]= 2、SYSCLK / 4)。
闪存流水线已使用以下函数进行配置、并在 main 之前调用。 我还确保它从 RAM 运行。
void init_flash (void)
{
EALLOW；
//启用闪存管道模式以提高性能
//从闪存执行的代码。
FlashRegs.FOPT.bit.ENPIPE = 1；
// 注意事项
//闪存操作所需的最小等待状态
//在给定的 CPU 速率下，必须由 TI 进行表征。
//请参考数据表以了解最新信息。
// 150 MHz 使用5个(+1)个 SYSCLK 周期，100个使用3个(+1)个 SYSCLK 周期
//这意味着我们每个25MHz 需要1个 SYSCLK 的等待状态
//设置闪存的分页等待状态
FlashRegs.FBANKWAIT.bit.PAGEWAIT = 2；
//设置闪存的随机等待状态
FlashRegs.FBANKWAIT.bit.RANDWAIT = 2；
// 150 MHz 使用8个(+1)个 SYSCLK 周期，100个使用5个(+1)个 SYSCLK 周期
//这意味着我们每个16.667MHz 需要1个 SYSCLK 的等待状态
//设置 OTP 的等待状态
FlashRegs.FOTPWAIT.bit.OTPWAIT = 4；
// 注意事项
//只应使用这2个寄存器的默认值
FlashRegs.FSTDBYWAIT.bit.STDBYWAIT = 0x01FF；
FlashRegs.FACTIVEWAIT.bit.ACTIVEWAIT = 0x01FF；
EDIS；
//强制管道冲洗以确保写入
//配置的最后一个寄存器在返回之前发生。
ASM (" RPT #7 || NOP")；
｝
启用闪存流水线后、流量中会出现差距、如下面的示波器图所示：
这两个间隙宽度约为60us/16.67Mhz、并出现两次。 使用示波器光标测量的宽度似乎反映了 SYSCLK 在60MHz/16.67速率下的配置方式、但我不确定这些参数是如何影响闪存流水线的、或者这是否是红色错误。
当闪存流水线被禁用时、我不会遇到字节之间的这些间隙、并且通信量是正常的。
保存要发送的每个字节的缓冲器被 分配到一个通过 XINTF 引脚连接的外部 RAM 芯片。
是否有关于此闪存流水线可能导致此问题的任何想法？
