This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320F28388D:ADC 参考模型

Guru**** 2341440 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1286511/tms320f28388d-adc-reference-model

器件型号:TMS320F28388D

您好!

我已经观看了有关开发 SAR 基准输入模型的视频。  

https://www.ti.com/video/series/precision-labs/ti-precision-labs-analogue-to-digital-converters-adcs.html

我能够对数据表中的开关速率、电阻和电容值进行建模。  

如果我在50 MHz 下运行、每个位周期将电容器充电至基准电压所花费的时间、电压保持的时间以及电容放电所花费的时间。  

我只问、因为当我使用 OPAx320模型和推荐的去耦进行仿真时、电容器在采样期间没有完全充电到基准电压、这似乎是意料之外的事情。  

如果您有一个可能工作得更好的 ADC 基准引脚 SPICE 模型、这也将解决票据问题。  

谢谢!

珍妮弗

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jennifer、您好!

    查看 TI.com 中 F28388D 产品文件夹下的 IBIS 模型。  在"设计和开发"选项卡下、您应该会看到 IBIS 模型。  模型包括 R、C 和 VREFHI 基准引脚上的漏电流以及其他信息。

    对于采样电容器 charling 要求、最低充电时间(前提是没有巨大的串联源阻抗和大的源电容)在12位模式下为75ns、在16位模式下为320ns。

    此致、

    约瑟夫

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我具有数据表中的 R 值和 C 值。 我正在研究基准引脚的瞬态效应以选择外部电路、如视频中所述。 75和320ns 数字用于信号输入路径、而不是基准引脚。 我不打算进一步讨论这一问题,感谢你的答复。