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[参考译文] TMS320F28388D:使用闪存设置写入 OTP 存储器

Guru**** 2111245 points
Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1285517/tms320f28388d-writing-otp-memory-with-flash-settings

器件型号:TMS320F28388D
主题中讨论的其他器件:SysConfig

您好!

对 OTP 存储器进行编程需要谨慎。  

因此、我希望在写入该区域之前获得批准。  打扰一下。

--

我认为有多种写入 OTP 存储器的方法。  (具有 SysConfig、具有闪存设置以及提到的代码片段应用报告 SPRACN1)

现在、我对"Flash Settings" 方法有疑问。

在 CCS 中、有一个位置具有 OTP- GPREG 寄存器、显示在"Project Properties -> Debug -> Flash Settings"窗口中。

我想知道:

    

 这些设置是否 足以写入 OTP 存储器?  


我们是否需要添加单独的代码来编写 OTP?

谢谢。

此致。

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    大家好,Mehmet,

    您是否仅尝试配置引导设置? 如果是这样、只需通过片上闪存工具单独写入这些字段就足以配置它们。 但是、必须在编程之前指定全部4个字段、因为每个字段只能编程一次、并且在使用片上闪存工具时、它们都是同时编程的。 如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

    谢谢!

    卢克

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    Luke、您好!

    感谢您的答复。

    是的、我只想更改引导设置。

    --

    我将使用一个引导模式选择引脚(0x0F - GPIO15)。

    BOOTPINCONFIG 位字段( Z2-GPREG1 ) 0x5AFFFF0F

    我计划使用闪存引导(0x03 - BOOT_DEF0)和 SCI 引导 (0x01 BOOT_DEF1) 模式。

    所以 针对低字节 ( Z2-GPREG3 ) 0xFFFF0103、用于高电平 ( Z2-GPREG4 ) 0xFFFFFFFF。

    但我不知道如何使用 Z2-GPREG2 来实现。  我应该向此字段写入什么内容?

    --

    您说过"每个字段只能编程一次"。 因此、我计划首先写入区域1。 如果出现问题、我可以使用区域2。  
    由于区域2的优先级高于区域1***,区域1的值将被忽略。  

    对此、我的想法是否正确?

    ***根据 TRM 第706页(SPRUII0E):  
    "建议首先使用 Z1-BOOTPINCONFIG、如果需要更改 OTP 配置、则切换到使用 Z2-BOOTPINCONFIG。"

    此致、

    Mehmet.

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    大家好,Mehmet,

    Z2-GPREGx 应以与 Z1-GPREGx 相同的方式写入。 正确的是、写入 Z2-GPREG 将覆盖 Z1-GPREG 设置。

    如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

    谢谢!

    卢克

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    Luke、您好!

    再次感谢您的答复。

    实际上、我知道 Z2的写入 方式与 Z1相同。

    但我想问的是、我应该向  Zx - GPREG2 来实现。

    但我找到了答案。 TRM 第719页解释了这个问题。

    我想我可以将0x5AFFFF3F 写入到 Zx - GPREG2字段。

     

    谢谢。

    此致

    穆罕默德

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    大家好,Mehmet,

    很高兴您能够解决此问题、我将关闭该主题。

    谢谢!

    卢克