[参考译文] TMS320F28377D：与设置 PLL 寄存器相关的闪存编程问题

尊敬的 Laurent：

所有新电路板都出现这种情况吗？  您是否可以尝试将某个器件从故障电路板替换为通过故障的电路板？

谢谢。此致、

瓦姆西  

在少数几套板上确实会发生这种情况。

我担心交换设备将是困难的、耗时和昂贵的(我们不能在内部做),我希望这将是最后的手段。

我可以为故障排除提示补充的是、我能够进入频率时钟不大于40MHz 的 RAM 中加载的程序。 我正在使用 PLL 设置为 x4的内部 INTOSC2。  一旦我将 PLL 增加到5倍(50MHz)、器件在启用 PLL 后崩溃(闪存编程也使用 INTOSC2和 PLL)。

我还将 JTAG 频率降低到了100KHz、但正如我预期的那样、这并没有改变结果。

您能否说明频率升高时出现的物理现象？ 我们应该寻找什么？ 功率增大、噪声增大...

感谢你的帮助。

劳伦特

尊敬的 Laurent：

Unknown 说：

您能否详细说明上述内容？ 一些相关问题：

1. 您的外部振荡器/晶体的频率是多少？ 才能确保其符合规格。
2. 您是说、即使是从 RAM 运行、一旦为200MHz 配置了 PLL、也会导致 JTAG 断开连接？ 振荡器来实现的。

Unknown 说：

因此、考虑到这一点、使用 UNIFLASH、我们将闪存编程时钟降低到95MHz 附近、从而可以对闪存进行编程。 我认为这不是一个解决方案、因为它以前从未发生过。 尽管这是一组新的定制板需要编程、但是设计多年来没有改变、我们对这种方法感到不舒服、特别是编程后、基本上不能再通过 JTAG 连接到 DSP、并收到以下错误消息：

出现上述情况时、您可以尝试按照以下应用手册中的步骤操作。 将器件置于等待引导模式可能允许您进行连接。

https://www.ti.com/lit/spracf0 

Unknown 说：

我可以添加到故障排除提示的是，我能够进入一个在 RAM 中加载的频率时钟不大于40MHz 的程序。 我正在使用 PLL 设置为 x4的内部 INTOSC2。  一旦我将 PLL 增加到5倍(50MHz)、器件在启用 PLL 后崩溃(闪存编程也使用带有 PLL 的 INTOSC2)。[/报价]

上述内容听起来像是与电源相关的问题。 3.3V 和1.2V 电源轨的电流容量是否足以在所有工作条件下(闪存编程通常是一项更高的功耗任务)满足器件的要求。

此致！

凯文

Laurent,

同意 Kevin 的观点、这听起来像是与电源相关的问题。 我要确认的一点是、VDD 和 VDDIO 引脚上有什么去耦电容器？

PLL 配置看起来不错(假定晶振频率为20MHz)。

伊袋

Kevin：

Unknown 说：

• 您的外部振荡器/晶体的频率是多少？ 才能确保其符合规格。
• 您是说、即使是从 RAM 运行、一旦为200MHz 配置了 PLL、也会导致 JTAG 断开连接？ 振荡器来实现的。

[/报价]

外部振荡器是规格范围内的20MHz 晶体、但要确保在 PLL 设置期间使用内部振荡器绕过了该外部时钟。

正确、RAM 中的程序会一直执行、直到达到 InitSysPll (XTAL_OSC、IMULT_20、FMULT_0、PLLCLK_BY_2)指令、精确地说 是 PLL 启用指令 SYSPLLCTL1.PLLCLKEN。

Unknown 说：

以上内容听起来像是与电源相关的问题。 3.3V 和1.2V 电源轨的电流容量是否足以在所有工作条件下(闪存编程通常是更高的功耗任务)满足器件的需求。[/报价]

为确保实现这一点、我们将3.3V 和1.2V 电压直接连接到实验室电源、因为我们认为这是个问题。

[/quote]

每个3.3V VDDIO 和每个1.2V VDD 都有一个100nF 的电容器。

我们应该关注哪种电源轨？

VDDIO、VDD、VDDOSC、VDD3VFL……是否全部？

这些电容很大、需要确保仍在满足电源时序/斜升速率要求。 每个电源轨仅需20uF 大容量电容器。

还有一个问题--您是否已从较旧的 SDK (例如 controlSUITE)更改为较新的 C2000Ware？ 我们过去曾遇到过器件支持接头未正确迁移的问题、这会导致配置 PLL 时出现故障。 (但是、这不应影响 UNIFLASH、因此我仍然认为很可能存在与电源相关的问题)。

伊袋

user5784549 说：

这些都是巨大的电容，需要确保仍能满足电源定序/斜升速率要求。 每个电源轨仅需20uF 大容量电容。

我们使用的值与原型设计所用的开发板相同。

Unknown 说：

出现上述情况时，您可以尝试按以下应用手册中的步骤操作。 将设备置于等待引导模式可能允许您进行连接。

我想在 RAM 的0xD00位置更改这个值、但我甚至无法在 CCS 中连接到目标以访问它。  

尊敬的 Laurent：

您是否关注 全部 应用手册中的步骤来尝试连接到器件、或者您是否在任何步骤中卡住？ 您是否已验证上电后 XRSn 的状态为高电平？

此致！

凯文

Kevin 老师好！

我尝试过,但我坚持在这一步, XRST 应该保持高. 我们收到此错误消息、无法连接到目标：

不过我注意到了一些奇怪的事情。 尽管、TRST 引脚为高电平、但是 XRST 在6ms 的周期内会发出高电平和低电平脉冲、因为我们不维修看门狗。 我的理解是、当我们与 JTAG 连接时、TRST 将为高电平、并会阻止 DSP 复位。  

我们在 TRST 上有一个下拉电阻器。

Laurent,

只是想多检查几件事：

-您的引导模式引脚是如何配置的? 如果您尝试将器件置于 SCI 引导模式、是否能够连接 闪存并对其进行编程？

-您刚才提到100nF 电源电容器。 请尝试减小这些电容、因为它们绝对太大。 我们的建议值为20uF。

此致、
伊袋

引导模式当前配置为 GET/Flash。 我将尝试 Wait 或 SCI、然后我会告诉您。

您是否建议将所有100nF 去耦电容器从100nF 替换为20uF (不是100nF 已经小于20uF)？ 还是您说它们的总和不应超过20uF？  

Laurent,

抱歉、出于某种原因我让我的单位交叉了、不知何故我的思维把 n 翻译成 m。100nF 太小了。 电源上的最小大容量电容器为10uF、但建议使用20uF。 应在每个引脚上放置100nF 的小电容器、但除此之外还需要20uF 的大容量电容器。 这适用于 VDD 和 VDDIO 电源轨。

此致、
伊袋

因此、我们将引导电阻器更改为引导进入"等待模式"、这有助于连接到目标。 似乎在低频对电路板进行编程后、软件会触发 DSP 崩溃、一旦编程完成、  InitSysPll () 指令被执行。

我们在所有电源轨(VDDIO、VDD、VDDOSC、VDD3VFL)上将大容量电容器增加到20uF、但没有改善。

我们仍在调查可能会干扰电源轨的情况、我们欢迎提供任何建议以便我们解决此问题。

非常感谢您的帮助。

此致、

劳伦特

您好，Laurent

请在写入 SYSPLLMULT 之后的 InitSysPll ()中放入一个断点。 您能展示以下寄存器的内容吗：

• CLKSRCCTL1
• SYSPLLCTL1
• SYSPLLMULT
• SYSPLLSTS
• MCDCR
• X1CNT

谢谢。
伊袋

谢谢 Laurent。 看起来 PLL 寄存器正在成功写入并且 PLL 正在被锁定。 因此、当 SoC 的其余部分切换到 PLL 输出时、就会发生该问题。 这也表明存在与电源相关的问题(高频=高功耗)。 此时、我们可能希望看到电路板原理图以帮助进一步诊断问题。

此外、它是否已在多个单元上进行过测试、以及您是否对电路板和 MCU 单元进行了任何 A/B 测试？

此致、
伊袋

让我与管理层核实一下、但我想我将接受您的提议、检查原理图、因为我们在过去两周内尝试了很多事情、但我们很困。

我们与 TI 签订了 NDA、如果您不介意、我会将这次对话转移到与您的私人聊天中！

非常感谢。

劳伦特