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[参考译文] TMS320F28379D：闪存问题

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1320041/tms320f28379d-flash-memory-question

器件型号：TMS320F28379D

您好，我对贵公司28379d芯片技术手册上关于flash 存储器 map的部分内容有所疑惑：CPU1和CPU2的分别所对应flash的虚拟地址是一样的，虚拟地址经过MMU处理后的物理地址不同，加起来一共有1M字节的空间。因此CPU1和CPU2可以同时对比如0x80000（扇区0）的flash虚拟地址进行读写操作。请问我的理解正确吗？

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    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    英文重贴：

    大家好、我对贵公司28379d 芯片技术手册中的闪存映射部分感到困惑：CPU1和 CPU2相应的闪存虚拟地址相同、MMU 处理后的虚拟地址不同、总共有1M 字节的空间。 因此、CPU1和 CPU2可以同时读取和写入闪存虚拟地址、例如0x80000 (扇区0)。 我是否理解正确？  

    此器件上实际上有2个不同的闪存存储体、但每个 CPU 内核的映射是唯一的、该部件是正确的。  因此、可从 CPU1和 CPU2同时读取它们位于"同一"地址的各自闪存。

    但是、不可能同时对两个闪存组进行写入(编程)、因为器件上只有一个闪存泵/控制器用于支持这两个组。  在对 CPU1闪存进行编程时、您仍可以从 CPU2的闪存读取/执行代码、反之亦然；只是不能同时写入两个。

    此致！
    马修