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器件型号：TMS320F28075 尊敬的 BU 专家：
我的客户正在 使用 SCI 引导程序来刷写器件。 他们发现 C2Prog 比闪存内核快得多(40秒与3分钟)。 他们想知道 C2PORg 是否使用了任何特殊功能来实现 nand 闪存的多平面或高速缓存平面等特殊功能(BTW 哪种类型的闪存是片上闪存？)
此外、您还不知道 C2PORg 闪存是如何实现的以及如何实现这种速度的？
谢谢。
挂起。
