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[参考译文] TMS320F28P650DH：使用 VREG (internel LDO)、温度比外部 LDO 高

admin
Guru**** 2387830 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1360440/tms320f28p650dh-use-vreg-internel-ldo-have-high-temperature-than-external-ldo

器件型号：TMS320F28P650DH

 大家好、

使用 VREG (internel LDO)(60℃)的温度高于外部 LDO（40℃）

它是否会通过不同的封装得到改进？ 例如使用 QFN 到 QFP？

 

非常感谢！

此致、

赞讷

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    TI__Guru**** 2387830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Zane,

    请记住、VREG 禁用图将测量 VDD 电源轨(IDD)、而 VREG 启用图将测量 VDDIO 电源轨(IDDIO)、因此这两种条件下的功耗将显著不同。  在启用 VREG 的情况下、电流将在3.3V 电源轨上下降、而在禁用 VREG 的情况下、将仅在1.2V 电源上下降。

    这些图形均为测得的结温、因此与封装无关。  现在、系统的目标应该是根据消耗的功率和外部自然通风温度、将结温保持在150°C 或更低。  在 DS 中、您可以在以下位置比较不同封装的热传递特性： https://www.ti.com/document-viewer/TMS320F28P650DH/datasheet#GUID-5A720478-9E31-4F51-931D-768A6EB956E6/GUID-9240F1DC-E273-4C68-B7B8-1E41ECCAACFE

    您将看到、虽然 BGA 封装的热传递参数略好、但 TQFP 并没有太大的不同、这是因为器件下方使用了电源板来协助散热。

    如果您有其他问题、请随时告诉我。

    此致！

    马修