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您好!
我有一个随机问题、似乎取决于我们如何对闪存进行编程。 在任何情况下、我们都可以从扇区 G 编程到 B。但有时、当我们使用定制应用程序对闪存进行编程时、我们会得到与使用 JTAG 和 CCS 编程时得到的行为不同的行为。
我已经从发生故障的电路板和不发生故障的电路板中导出存储器、并将其与 CCS 反汇编视图进行比较。 我看到 在一个较小的区域中、闪存是不同的。 这些地址总是在扇区 G (0x308000)的请求处。
我看到陷阱指令的差异(检查反汇编)、我想这不会改变应用的行为、但我不明白它们为什么不同。 例如、在一个板中、我看到0035、在另一个板中、我看到0030。 你知道原因吗?
我看到指令的差异也类似如下:
一个板:
004D0061
00790020
另一个电路板:
00530065
00700020
正如 我在反汇编中看到的那样、我知道第一个开发板说明的含义如下:
004D0061 LB 0x0d0061
00790020 lb 0x390020
您能告诉我其他电路板说明的含义吗?
任何想法为什么这会发生。
此致、
Paloma
