[参考译文] TMS320F2800132：ECC RAM 测试

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1381005/tms320f2800132-ecc-ram-test

工具与软件：

尊敬的支持团队：

我尝试在项目中添加 ECC RAM 测试。

我从下面的例子开始：

C20004.12.1SDK_5_02_00_00\c2000ware\libraries\diagnostic\f280013x\examples\sdl_ex_flash_ecc_test Ware_Motor

但我面临一些问题/有一些问题。

在函数 runCorrectableECCTest 中：

      //
        // Put the M0RAM into test mode so we can write to the data without
        // updating the ECC, flip a bit, and put the RAM back into the normal
        // functional mode.
        //
        testRAMLogic(MEMCFG_SECT_M0, MEMCFG_TEST_WRITE_DATA,
                     (uint32_t)&m0Data, (RAM_DATA_SINGLE_BIT << index));

此函数的工作方式为错误 ISR (可纠正错误)、但：

   //
        // Put the M0RAM into test mode so we can write to the ECC bits
        // directly, flip multiple bits, and put the RAM back into the
        // normal functional mode.
        //
        testRAMLogic(MEMCFG_SECT_M0, MEMCFG_TEST_WRITE_ECC,
                     (uint32_t)&m0Data, (RAM_ECC_SINGLE_BIT << index));

这个没有触发错误 ISR、但 NMIISR、因此我有点困惑。

注释为"翻转多个位"、因此如果正确、则不可纠正、并且正常触发 NMI、但对我而言、代码仅翻转 single-bit。

请告诉我错误在哪里？ 在这个例子中？

此致。