[参考译文] TMS320F280039C-Q1：晶体振荡器负载电容

此帖子的任何更新？

尊敬的 Chen：

感谢您的耐心等待。 由于本周大部分团队都不在办公室、请期待延迟回复。

晶体并联电容(C0)和有效负载电容(CL)会极大地影响电振荡器的负电阻。 Rneg (电振荡器的负电阻) 可被视为电路的总增益、它会影响晶体的启动时间和振荡维持。   

CL 还会影响 ESR (有效串联电阻)。 ESR 越高、Q 越低、晶体启动或保持振荡的可能性就越小。

如果 CL 太高、晶体则 整体电路增益太低、晶体需要很长时间才能启动
另一方面、如果有效负载电容低于目标值、晶体频率将增加、反之亦然

数据表中说明的值仅供用户参考、最终用户应 依靠晶体制造商完整地用其电路板对晶体进行表征、以确保晶体始终启动并保持振荡、因为晶体和电路板参数会显著影响性能。

谢谢

Prarthan、

以下内容很难理解、能否详细解释一下。

如果 CL 过高、则晶体 整体电路增益过低  

那么、 如果 CL 太高、 晶体频率会降低吗？

如果  CL 太高, 晶体 已经启动,在运行阶段,可能会导致 振荡 停止或不停止?

Prarthan、

我不认为 我得到了正确的答案,我可以考虑有一些错误的 词 "如果 CL 太高的晶体,然后 整体电路增益太低"?

  如果有错误类型、您能纠正它吗？

您能 回答以下问题吗？ 让我猜你的意思吧!

那么、 如果 CL 太高、 晶体频率会降低吗？

如果 CL 太高, 晶体 已经启动,在运行阶段,可能会导致 振荡 停止或不停止?

尊敬的 Chen：

它不是一个错误的类型。

当 CL 过高时、晶体可能需要很长时间才能启动、即使很可能无法维持启动

Prarthan、

以下问题如何？

那么、 如果 CL 太高、 晶体频率会降低吗？